[发明专利]芯片互连结构及系统

权利要求书

1.一种芯片与芯片间的互连系统，其特征在于包括：

半导体芯片；形成于所述半导体芯片上的焊料凸块；和

基底；

基底上和下表面的复数个接线端；

所述基底中的与接线端电连接的多层互连线；

其中，

所述半导体芯片通过焊料凸块与基底的接线端相连；

所述焊料凸块、接线端与多层互连线形成的电连接阻抗为30～40欧姆。

2.如权利要求1所述的芯片互连系统，其特征在于：所述半导体芯片可以是逻辑芯片、存储芯片、图像芯片或控制芯片。

3.如权利要求1所述的芯片互连系统，其特征在于：所述焊料凸块的材料包括金、铜、锡、铅、银、钨、镍、钽、铬。

4.如权利要求3所述的芯片互连系统，其特征在于：所述焊料凸块的高度为80～120微米。

5.如权利要求3所述的芯片互连系统，其特征在于：所述焊料凸块的高度为200～360微米。

6.如权利要求1所述的芯片互连系统，其特征在于：所述基底材料可以是硅、树脂或聚酰亚胺。

7.如权利要求1所述的芯片互连系统，其特征在于：所述接线端材料可以是铝、铜或铝铜合金。

8.如权利要求1所述的芯片互连系统，其特征在于：所述多层互连线包括：

基底中的接地层；

所述接地层上方的微带传输线层；

所述微带传输线上方的电源层；

所述电源层上的传输线层。

9.如权利要求1所述的芯片互连系统，其特征在于：所述多层互连线包括：

基底中的接地层；

所述接地层上方的微带传输线层；

所述微带传输线上方的传输线层；

所述传输线上方的电源层。

10.如权利要求1所述的芯片互连系统，其特征在于：所述多层互连线包括：

基底中的接地层；

所述接地层上方的电源层；

所述电源上方的微带传输线层；

所述微带传输线层上方的传输线层。

11.如权利要求8或9或10所述的芯片互连系统，其特征在于：所述接地层、微带传输线层、电源层、传输线层之间有电介质层。

12.如权利要求8或9或10所述的芯片互连系统，其特征在于：所述接地层、微带传输线层、电源层、传输线层的材料可以是铝、铜或铝铜合金。

13.如权利要求11所述的芯片互连系统，其特征在于：所述电介质层材料包括：氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺或低介电常数绝缘体。

14.如权利要求8或9或10所述的芯片互连系统，其特征在于：所述接地层、微带传输线层、电源层、传输线层与基底上和下表面的复数个接线端之间有连接孔连接。

15.如权利要求8或9或10所述的芯片互连系统，其特征在于：所述微带传输线层和传输线层的厚度分别为3～18微米。

16.一种芯片互连结构，其特征在于包括：

基底；

基底上和下表面的接线端；

所述基底中的与接线端电连接的多层互连线；

其中，

所述接线端和多层互连线形成的电连接阻抗为30～40欧姆。

17.如权利要求16所述的芯片互连系统，其特征在于：所述基底材料可以是硅、树脂或聚酰亚胺。

18.如权利要求16所述的芯片互连系统，其特征在于：所述接线端材料可以是铝、铜或铝铜合金。

19.如权利要求16所述的芯片互连系统，其特征在于：所述多层互连线包括：

基底中的接地层；

所述接地层上方的微带传输线层；

所述微带传输线层上方的电源层；

所述电源层上方的传输线层。

20.如权利要求16所述的芯片互连系统，其特征在于：所述多层互连线包括：

基底中的接地层；

所述接地层上方的微带传输线层；

所述微带传输线层上方的传输线层；

所述传输线层上方的电源层。