[发明专利]芯片互连结构及系统有效

专利信息
申请号: 200610029918.4 申请日: 2006-08-10
公开(公告)号: CN101123246A 公开(公告)日: 2008-02-13
发明(设计)人: 王津洲 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/48;H01L23/498;H01L23/66
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 逯长明
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 芯片 互连 结构 系统
【权利要求书】:

1.一种芯片与芯片间的互连系统,其特征在于包括:

半导体芯片;形成于所述半导体芯片上的焊料凸块;和

基底;

基底上和下表面的复数个接线端;

所述基底中的与接线端电连接的多层互连线;

其中,

所述半导体芯片通过焊料凸块与基底的接线端相连;

所述焊料凸块、接线端与多层互连线形成的电连接阻抗为30~40欧姆。

2.如权利要求1所述的芯片互连系统,其特征在于:所述半导体芯片可以是逻辑芯片、存储芯片、图像芯片或控制芯片。

3.如权利要求1所述的芯片互连系统,其特征在于:所述焊料凸块的材料包括金、铜、锡、铅、银、钨、镍、钽、铬。

4.如权利要求3所述的芯片互连系统,其特征在于:所述焊料凸块的高度为80~120微米。

5.如权利要求3所述的芯片互连系统,其特征在于:所述焊料凸块的高度为200~360微米。

6.如权利要求1所述的芯片互连系统,其特征在于:所述基底材料可以是硅、树脂或聚酰亚胺。

7.如权利要求1所述的芯片互连系统,其特征在于:所述接线端材料可以是铝、铜或铝铜合金。

8.如权利要求1所述的芯片互连系统,其特征在于:所述多层互连线包括:

基底中的接地层;

所述接地层上方的微带传输线层;

所述微带传输线上方的电源层;

所述电源层上的传输线层。

9.如权利要求1所述的芯片互连系统,其特征在于:所述多层互连线包括:

基底中的接地层;

所述接地层上方的微带传输线层;

所述微带传输线上方的传输线层;

所述传输线上方的电源层。

10.如权利要求1所述的芯片互连系统,其特征在于:所述多层互连线包括:

基底中的接地层;

所述接地层上方的电源层;

所述电源上方的微带传输线层;

所述微带传输线层上方的传输线层。

11.如权利要求8或9或10所述的芯片互连系统,其特征在于:所述接地层、微带传输线层、电源层、传输线层之间有电介质层。

12.如权利要求8或9或10所述的芯片互连系统,其特征在于:所述接地层、微带传输线层、电源层、传输线层的材料可以是铝、铜或铝铜合金。

13.如权利要求11所述的芯片互连系统,其特征在于:所述电介质层材料包括:氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺或低介电常数绝缘体。

14.如权利要求8或9或10所述的芯片互连系统,其特征在于:所述接地层、微带传输线层、电源层、传输线层与基底上和下表面的复数个接线端之间有连接孔连接。

15.如权利要求8或9或10所述的芯片互连系统,其特征在于:所述微带传输线层和传输线层的厚度分别为3~18微米。

16.一种芯片互连结构,其特征在于包括:

基底;

基底上和下表面的接线端;

所述基底中的与接线端电连接的多层互连线;

其中,

所述接线端和多层互连线形成的电连接阻抗为30~40欧姆。

17.如权利要求16所述的芯片互连系统,其特征在于:所述基底材料可以是硅、树脂或聚酰亚胺。

18.如权利要求16所述的芯片互连系统,其特征在于:所述接线端材料可以是铝、铜或铝铜合金。

19.如权利要求16所述的芯片互连系统,其特征在于:所述多层互连线包括:

基底中的接地层;

所述接地层上方的微带传输线层;

所述微带传输线层上方的电源层;

所述电源层上方的传输线层。

20.如权利要求16所述的芯片互连系统,其特征在于:所述多层互连线包括:

基底中的接地层;

所述接地层上方的微带传输线层;

所述微带传输线层上方的传输线层;

所述传输线层上方的电源层。

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