[发明专利]一种测量硅化金属阻止区纯电阻及界面电阻的方法

权利要求书

1.一种测量硅化金属阻止区纯电阻的方法，其特征在于：包括如下步骤：

(1)形成一个具有4个接线端口的开尔文电阻器结构，作为SAB电阻测试图形结构；

(2)在电阻器的接线端口1处施加电压V_force1，接线端口4为接地端，使得在接线端口1和接线端口4之间产生电流I_force；

(3)测量接线端口2和接线端口3的感应电压V_sense1和V_sense2，得到接线端口2和接线端口3之间的纯电阻R_pure的阻值，其中，

Rpure=Vsense1-Vsense2Iforce;]]>

(4)根据公式Rpure=Rsh*LW-deltaW]]>可得到R_sh的值，其中，R_sh是方块电阻，L是接线端口2和接线端口3之间的长度，W是版图宽度，deltaW为硅片基于工艺的宽度误差；

(5)根据确定R_sh、deltaW值，至少测量2个以上具有不同版图宽度W的电阻器，可得到一个L/R_pure相对于W的函数曲线图，从函数曲线图可快速获得不同版图宽度W情况下的纯电阻R_pure的阻值。

2.如权利要求1所述的测量硅化金属阻止区纯电阻的方法，其特征在于：所述开尔文电阻可以是N/P结或者N/P扩散型SAB电阻。

3.一种测量硅化金属阻止区界面电阻的方法，其特征在于：包括如下步骤：

(1)形成一个具有4个接线端口的开尔文电阻器结构，作为SAB电阻测试图形结构；

(2)在测试图形结构的接线端口1处施加电压V_force1，接线端口4为接地端，使得在接线端口1和接线端口4之间产生电流I_force；

(3)测量接线端口2的感应电压V_sense1，得到接线端口1和接线端口2之间的界面电阻R_interface的阻值，其中，Rinterface=Vforce1-Vsense1Iforce;]]>

(4)根据公式Rinterface=Rintweff]]>可得到电阻R_int的值，其中，Weff＝W-deltaW，W是版图宽度，deltaW为硅片基于工艺的宽度误差；

(5)根据确定的R_int和Weff的值，至少测量2个以上具有不同版图宽度W的电阻器，可得到一个R_interface相对于1/Weff的函数曲线图，从函数曲线图可快速获得不同版图宽度W情况下的界面电阻R_interface的阻值。

4.如权利要求3所述的测量硅化金属阻止区界面电阻的方法，其特征在于：所述开尔文电阻可以是N/P结或者N/P扩散型SAB电阻。