[发明专利]一种测量硅化金属阻止区纯电阻及界面电阻的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种测量硅化金属阻止区纯电阻及界面电阻的方法，更进一步而言，涉及一种在复合模拟信号电路中使用4端电阻测试图形来测量硅化金属阻止区(SAB Salicide Block)纯电阻及界面电阻的方法。

背景技术

在复合模拟信号电路设计中，例如在计算电桥或电阻不匹配时，经常要使用到SAB电阻值的精确电阻值。在现代技术中设计人员更多的使用P+poly SAB电阻，由于其与N+poly SAB电阻相比，具有更大的片电阻，更小的电压系数和更好的匹配特性。因为设计者总是希望得到电路的精确的SAB电阻，这使得提供确值电阻及某些附加阻值的特性给设计者使用变得非常重要。请参阅图1，图1是poly SAB电阻设计示意图。一个完整的SAB电阻设计同时包括SAB纯电阻Rpure以及在SAB电阻和硅化物电阻之间的那部分称之为SAB界面电阻Rinterface的两部分。为了精确的测量SAB纯电阻值和界面电阻值，就需要一个新的测量方法来快速获得这两个电阻值。

发明内容

本发明的目的在于提供一种精确测量硅化金属阻止区(SAB)纯电阻值和界面电阻值的方法。

本发明是通过以下技术方案实现的：一种测量硅化金属阻止区纯电阻的方法，包括如下步骤：

(1)形成一个具有4个接线端口的开尔文电阻器结构，作为SAB电阻测试图形结构；

(2)在电阻器的接线端口1处施加电压Vforce1，接线端口4为接地端，使得在接线端口1和接线端口4之间产生电流Iforce；

(3)测量接线端口2和接线端口3的感应电压Vsense1和Vsense2，得到接线端口2和接线端口3之间的纯电阻Rpure的阻值，其中，Rpure=Vsensel-Vsense2Iforce;]]>

(4)根据公式Rpure=Rsh*LW-deltaW]]>可得到Rsh的值，其中，Rsh是方块电阻，L是接线端口2和接线端口3之间的长度，W是版图宽度，deltaW为硅片基于工艺的宽度误差；

(5)根据确定Rsh、deltaW值，至少测量2个以上具有不同版图宽度W的电阻器，可得到一个L/Rpure相对于W的函数曲线图，从函数曲线图可快速获得不同版图宽度W情况下的纯电阻Rpure的阻值。

其中，所述开尔文电阻可以是N/P结或者N/P扩散型SAB电阻。

此外，本发明还提供了另一种技术方案：一种测量硅化金属阻止区界面电阻的方法，包括如下步骤：

(1)形成一个具有4个接线端口的开尔文电阻器结构，作为SAB电阻测试图形结构；

(2)在测试图形结构的接线端口1处施加电压Vforce1，接线端口4为接地端，使得在接线端口l和接线端口4之间产生电流Iforce；

(3)测量接线端口2的感应电压Vsense1，得到接线端口1和接线端口2之间的界面电阻Rinterface的阻值，其中，Rinterface=Vforcel-VsenselIforce;]]>