[发明专利]瞬间液相扩散连接三元层状陶瓷钛硅化碳工艺无效
| 申请号： | 200610047089.2 | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101096316A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 尹孝辉;李美栓;周延春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 瞬间 扩散 连接 三元 层状 陶瓷 钛硅化碳 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种瞬间液相扩散连接三元层状陶瓷钛硅化碳工艺，其特征在于包括下述工艺步骤：
(1)以铝箔为中间层，上下两层为Ti3SiC2陶瓷，在热压炉内、氩气保护下，在600-650℃、压力为10-20MPa下恒压保温10-30min，确保铝箔与Ti3SiC2紧密接触；
(2)在温度为1400-1500℃、压力为2-5MPa下恒压保温90-180min，连接Ti3SiC2陶瓷；
(3)随炉冷却至1200-1300℃后卸载。
2.按照权利要求1所述的瞬间液相扩散连接三元层状陶瓷钛硅化碳工艺，其特征在于：所述步骤(2)中，以10-15℃/min的升温速率加热至1400-1500℃，保温90-180min。
3.按照权利要求1所述的瞬间液相扩散连接三元层状陶瓷钛硅化碳工艺，其特征在于：所述步骤(2)中，以0.2-0.5kN/min的加载速率加压至2-5MPa。
4.按照权利要求1所述的瞬间液相扩散连接三元层状陶瓷钛硅化碳工艺，其特征在于：以铝箔为中间层，铝箔纯度≥99％，厚度为50-100μm。
5.按照权利要求1所述的瞬间液相扩散连接三元层状陶瓷钛硅化碳工艺，其特征在于：在所述步骤(1)之前，将焊接件进行表面处理，铝箔要清除表面氧化膜，Ti3SiC2陶瓷经研磨、抛光；然后，对铝箔和Ti3SiC2陶瓷进行超声清洗。
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