[发明专利]液晶显示器制造方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种液晶显示器制造方法。

【背景技术】

因为液晶显示面板具有轻、薄、耗电小等优点，被广泛应用于电视、笔记本电脑、移动电话、个人数字助理等现代化信息设备。目前，液晶显示面板在市场上的应用越来越重要。

请参阅图1，是一种现有技术液晶显示器的示意图。该液晶显示器10包括多条相互平行的扫描线100、多条相互平行且与该扫描线100垂直绝缘相交的数据线110、多个薄膜晶体管(thinfilm transistor，TFT)130、多个像素电极140和多个电容120。该薄膜晶体管130设置在该扫描线100与该数据线110的相交处。该像素电极140和该电容120位于该扫描线100和该数据线110之间。

请参阅图2至图7，图2是该液晶显示器10的制造方法的流程图，图3至图7是该液晶显示器10沿III-III方向的制造方法的各主要步骤的示意图。该液晶显示器10的制造方法包括三道光罩(Photomask)工艺，具体步骤如下：

一、第一道光罩工艺

步骤1，依序形成栅极金属层和第一光阻层；

请参阅图3，提供一绝缘基底11，其包括一薄膜晶体管区12、一显示区13和一电容区14。在该绝缘基底11上依序沉积一栅极金属层101和一第一光阻层(Photoresist)102。

步骤2，形成栅极和第一电容电极；

以第一光罩对该第一光阻层102进行曝光(Expose)，并显影该第一光阻层102，从而形成一第一光阻图案，然后对该栅极金属层101进行蚀刻(Etch)，形成如图4所示该薄膜晶体管区12的栅极132和该电容区14的第一电容电极122，移除该第一光阻层102。

二、第二道光罩工艺

步骤3，依序形成绝缘层、非晶硅层、掺杂非晶硅层、源/漏极金属层和第二光阻层；

在具有该栅极132和该第一电容电极122的绝缘基底11上依序沉积一绝缘层103、一非晶硅层104、一掺杂非晶硅层105、一源/漏极金属层106和一第二光阻层107，如图5所示。

步骤4，形成薄膜晶体管单元和电容；

以第二光罩对该第二光阻层107进行曝光，并显影该第二光阻层107，从而形成一第二光阻图案，然后蚀刻掉该显示区13的源/漏极金属层106、掺杂非晶硅层105、非晶硅层104和绝缘层103，形成如图6所示的薄膜晶体管单元和电容120。该电容120包括该第一电容电极122、第二电容电极121和夹在其间的掺杂非晶硅层105、非晶硅层104和绝缘层103。该薄膜晶体管单元包括该栅极132、该绝缘层103、该非晶硅层104、该掺杂非晶硅层105和该源/漏极金属层106。

三、第三道光罩工艺

步骤5，依序形成透明金属层和第三光阻层；

在具有该薄膜晶体管单元和电容120的绝缘基底11上依序沉积一透明金属层和一第三光阻层。

步骤6，形成源极、漏极和像素电极；

以第三光罩对该第三光阻层进行曝光，并显影该第三光阻层，从而形成一第三光阻图案，然后蚀刻该薄膜晶体管单元的透明金属层140和源/漏极金属层106，进而形成如图7所示的像素电极140、该薄膜晶体管130的源极131和漏极133，进一步蚀刻该薄膜晶体管单元的掺杂非晶硅层105，从而在该掺杂非晶硅层105中形成一沟槽138。

经过上述步骤，即可形成该液晶显示器10。其中，该电容120的电容值由以下公式计算：

CST=∈·Ad]]>

其中，C_ST表示该电容120的电容值，∈是常数，A表示该第一电容电极122和该第二电容电极121的对应面积，d表示该绝缘层103、该非晶硅层104和该掺杂非晶硅层105的三层厚度的和。因此，该电容120的电容值C_ST与两电极122、121的对应面积A成正比，与厚度d成反比。