[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其包括依次层叠设置的一基板、一硅薄膜、一绝缘层和一金属层，其特征在于：该绝缘层包括一第一绝缘层和一第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖部分第一绝缘层，该第二绝缘层在该第一绝缘层上形成一开口，该金属层是该薄膜晶体管基板的栅极，该金属层包括一第一金属层和一第二金属层，该第一金属层嵌入该开口并覆盖第一绝缘层，该第二金属层覆盖该第一金属层和邻近该第一金属层的部分第二绝缘层，该第一金属层与该第二金属层欧姆接触，该硅薄膜两端相对形成一源极和一漏极，该硅薄膜的源极和漏极之间具有一通道区，该通道区长度与该第二金属层长度一致。

2.一种薄膜晶体管基板制造方法，其包括以下步骤：

提供一基板；

在该基板上依序沉积一硅薄膜、一第一绝缘层、一第一金属层和一第一光阻层；

提供一第一光罩，通过该第一光罩对该第一光阻层进行曝光、显影，形成一第一光阻图案；

蚀刻该第一金属层，使其与该第一光阻图案一致；

在该第一绝缘层未被该第一光阻图案覆盖的区域沉积一第二绝缘层；

去除该第一光阻图案，该第二绝缘层覆盖部分第一绝缘层；

在该第一金属层和该第二绝缘层上依序沉积一第二金属层和一第二光阻层；

提供一第二光罩，通过该第二光罩对该第二光阻层进行曝光、显影，形成一第二光阻图案；

蚀刻该第二金属层，使其与该第二光阻图案一致；

去除该第二光阻图案，该第二金属层覆盖该第一金属层和邻近该第一金属层的部分第二绝缘层，该第二金属层长度与形成在该硅薄膜中的通道区长度一致。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板制造方法，其特征在于：该第一绝缘层是二氧化硅，该第二绝缘层是含氟二氧化硅，该含氟二氧化硅是由水与氢氟硅酸反应沉积所得或由硅酸与氢氟硅酸反应沉积所得。

4.一种薄膜晶体管基板制造方法，其包括以下步骤：

提供一基板；

在该基板上依序沉积一硅薄膜、一第一绝缘层和一第一光阻层；

提供一第一光罩，通过该第一光罩对该第一光阻层进行曝光、显影，形成一第一光阻图案；

在该第一绝缘层上未被第一光阻图案覆盖的区域沉积一第二绝缘层；

去除该第一光阻图案，该第二绝缘层覆盖部分第一绝缘层；

在该第一绝缘层未被第二绝缘层覆盖的部分和该第二绝缘层上依序沉积一栅极金属层和一第二光阻层；

提供一第二光罩，通过该第二光罩对该第二光阻层进行曝光、显影，形成一第二光阻图案；

蚀刻该栅极金属层，使其与该第二光阻图案一致，蚀刻该栅极金属层后，该栅极金属层覆盖该第一绝缘层未被第二绝缘层覆盖的部分且覆盖部分第二绝缘层，该栅极金属层长度与形成在该硅薄膜中的通道区长度一致；

去除该第二光阻图案。