[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种薄膜晶体管基板及其制造方法。

背景技术

由于液晶显示装置具有轻、薄、省电等特点，其广泛应用于桌上型计算机、膝上型计算机、个人数字助理(Personal DigitalAssistant，PDA)、便携式电话、电视及多种办公自动化与视听设备中。液晶显示装置的主要组件是液晶面板。液晶面板一般包括一薄膜晶体管基板、一彩色滤光片基板和夹于该薄膜晶体管基板与该彩色滤光片基板之间的液晶层。其中，薄膜晶体管基板驱动液晶显示面板每一液晶像素点，以实现高速度、高辉度及高对比度的画面显示。

请参考图1，是一种现有技术薄膜晶体管基板的结构示意图。该薄膜晶体管基板100包括一基板110、一硅薄膜120、一绝缘层130和一栅极金属层140。该栅极金属层140覆盖部分绝缘层130，该绝缘层130、硅薄膜120和基板110依次层叠设置。该绝缘层130是薄膜晶体管基板100的栅极绝缘层。该硅薄膜120两端通过布植磷离子分别形成一源极121和一漏极122。另外，该栅极金属层140、源极121和漏极122分别通过导线(图未示)与外部引脚(图未示)电性连接。

当该薄膜晶体管基板100工作时，外加电压通过各导线施加于该栅极金属层140、源极121和漏极122。其中，该栅极金属层140的栅极电压能透过绝缘层130，在硅薄膜120表面感应出一通道123，并通过该源极121和漏极122间的电位差，使通道123内产生电流。

请参考图2，是图1中薄膜晶体管基板100制造方法的流程图，其包括：

步骤S10：提供一基板110。

步骤S11：在该基板110上依序沉积一硅薄膜120、一绝缘层130、一栅极金属层140和一光阻层。

步骤S12：提供一光罩，通过该光罩对该光阻层进行曝光、显影，从而形成一光阻图案。

步骤S13：蚀刻该栅极金属层140，使其与光阻图案一致。

步骤S14：在该硅薄膜120两端布植磷离子，形成一源极121和一漏极122。

步骤S15：去除光阻图案。

由于该绝缘层130的绝缘性有限，且在晶体管关闭的状态下，该栅极金属层140与源极121和漏极122间易产生漏电流。该漏电流影响该薄膜晶体管基板100的工作特性，特别当薄膜晶体管基板100为关时，该漏电流会影响电信号的精确性，降低薄膜晶体管基板100的可靠性，从而影响显示品质。

发明内容

为了克服现有技术中薄膜晶体管基板可靠性差的问题，本发明提供一种可靠性高的薄膜晶体管基板。

本发明还提供该薄膜晶体管基板的制造方法。

一种薄膜晶体管基板，其包括依次层叠设置的一基板、一硅薄膜、一绝缘层和一金属层，其中，该绝缘层包括一第一绝缘层和一第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖部分第一绝缘层。

该金属层是该薄膜晶体管基板的栅极，该硅薄膜两端相对形成有一源极和一漏极，该源极和漏极间具有一通道区，该通道区长度与栅极长度一致。

一种薄膜晶体管基板制造方法，其包括以下步骤：提供一基板；在该基板上依序沉积一硅薄膜、一第一绝缘层、一第一金属层和一第一光阻层；提供一第一光罩，通过该第一光罩对该第一光阻层进行曝光、显影，形成一第一光阻图案；蚀刻该第一金属层，使其与该第一光阻图案一致；在该第一绝缘层未被该第一光阻图案覆盖的区域沉积一第二绝缘层；去除该第一光阻图案，该第二绝缘层覆盖部分第一绝缘层。

一种薄膜晶体管基板制造方法，其包括以下步骤：提供一基板；在该基板上依序沉积一硅薄膜、一第一绝缘层和一第一光阻层；提供一第一光罩，通过该第一光罩对该第一光阻层进行曝光、显影，形成一第一光阻图案；在该第一绝缘层上未被第一光阻图案覆盖的区域沉积一第二绝缘层；去除该第一光阻图案，该第二绝缘层覆盖部分第一绝缘层；在该第一绝缘层未被第二绝缘层覆盖的部分和该第二绝缘层上依序沉积一栅极金属层和一第二光阻层；提供一第二光罩，通过该第二光罩对该第二光阻层进行曝光、显影，形成一第二光阻图案；蚀刻该栅极金属层，使其与该第二光阻图案一致；去除该第二光阻图案。

与现有技术相比，由于该薄膜晶体管基板在其第一绝缘层上进一步沉积有一第二绝缘层，该第二绝缘层增加源极和漏极邻近通道区的两端与栅极间的绝缘层厚度，增大电阻。所以相对于一定栅极电压，该栅极与源极和漏极之间的耦合电场较小，源极和漏极邻近通道区两端的电场也较小，所以漏电流小，由漏电流所产生的不良影响降低，提高薄膜晶体管基板的可靠性。

附图说明

图1是一种现有技术薄膜晶体管基板的结构示意图。