[发明专利]低电压有机发光二极管器件及其制作方法有效
| 申请号： | 200610063553.7 | 申请日： | 2006-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101118952A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 曹绪文 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32;H05B33/12;H05B33/10 |
| 代理公司： | 深圳市睿智专利事务所 | 代理人： | 王志明 |
| 地址： | 516600广东省汕*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压 有机 发光二极管 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种低电压有机发光二极管器件，包括：
基板(1)，在基板(1)上形成的阳极(2)，
在阳极(2)上形成的有机电致发光功能层(5)，
与所述有机电致发光功能层(5)相邻近的空穴传输功能层(4)和电子传输功能层(6)，和
在电子传输功能层(6)上形成的阴极(7)，
在所述阳极(2)与所述空穴传输功能层(4)之间的强受体有机分子材料缓冲层(3)，其特征在于：所述强受体有机分子材料包括四氰基对二次甲基萘醌、1，4，5，8四羟基1，4，5，8四硫代基-2，3，6，7-4氰基蒽醌当中至少一种。
2.如权利要求1所述的低电压有机发光二极管器件，其特征在于：所述强受体有机分子材料缓冲层(3)与所述空穴传输功能层(4)之间还增加一层空穴注入层(8)。
3、如权利要求1或2所述的低电压有机发光二极管器件，其特征在于：所述强受体有机分子材料缓冲层(3)厚度为0.1纳米-100纳米。
4、如权利要求1或2所述的低电压有机发光二极管器件，其特征在于：所述阳极(2)选用透明导电氧化物。
5、如权利要求1或2所述的低电压有机发光二极管器件，其特征在于：所述阳极(2)选用非透明金属材料。
6、如权利要求1所述的低电压有机发光二极管器件的制作方法，包括以下步骤：
a.在基板(1)上形成阳极(2)；
b.用光刻法在电极上依次形成阳极图案、绝缘层、电极隔离层；
c.将做好图案的基板用氧气等离子清洁，然后形成强受体有机分子材料缓冲层(3)；
d.然后依次形成空穴传输功能层(4)、有机电致发光功能层(5)、电子传输功能层(6)和阴极(7)；
e.在高纯氮气中封装成器件；
其特征在于步骤c中所述强受体有机分子材料包括四氰基对二次甲基萘醌、1，4，5，8四羟基1，4，5，8四硫代基-2，3，6，7-4氰基蒽醌当中至少一种。
7.如权利要求6所述的低电压有机发光二极管器件的制作方法，其特征在于：步骤c与步骤d之间还进一步包括形成空穴注入层(8)的步骤。
8.如权利要求6所述的低电压有机发光二极管器件的制作方法，其特征在于：步骤c中强受体有机分子材料缓冲层(3)是采用热蒸镀成膜或溶液旋涂干燥而形成。
9.如权利要求6、7或8所述的低电压有机发光二极管器件的制作方法，其特征在于：步骤c所形成的强受体有机分子材料缓冲层(3)厚度为0.1纳米-100纳米。
10.如权利要求6、7或8所述的低电压有机发光二极管器件的制作方法，其特征在于：步骤a所述阳极(2)选用氧化铟锡作材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
