[发明专利]低电压有机发光二极管器件及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机发光二极管器件的电极结构，更具体地说，尤其涉及一种低电压有机发光二极管器件的改进阳极结构及其制作方法。

背景技术

目前，在显示器技术领域，液晶显示器件(LCD)以其重量轻、功耗低而被广泛地用作平板显示器，然而，因为液晶显示器件是无源器件，而非自发光器件，并且由于其在亮度、对比度、视角以及屏幕扩展方面的技术限制，因而，研发新型平板显示器件以克服LCD的上述缺点便成为本领域的课题。

有机发光二极管器件(简称OLED)是目前新兴的一种平板显示器，因它有主动发光，对比度高，能薄型化，响应速度快等诸多优点，被公认为是下一代显示器的主力军。如图1所示，在现有技术的有机发光二极管器件中，通常包括一个玻璃基板1，在玻璃基板1上有一个通常由氧化铟锡形成的阳极2，一个阴极7以及位于所述阳极2和阴极7之间的有机功能材料，OLED的发光原理就在前后两个电极间蒸镀非常薄的多层有机功能材料，通直流电驱动而发光。有机发光二极管OLED的有机功能层，一般由三层构成，分别为空穴传输功能层4(简称HTL)、有机电致发光功能层5(简称EML)、电子传输功能层6(简称ETL)，为了加强空穴的注入，HTL层前可以增加一层空穴注入层8(简称HIL)。一般阳极2采用高功函数的导电材料，主要是降低阳极2与HTL4之间的电荷注入势垒，增加电荷的注入，降低器件的电压，比较常用的方法有ITO紫外光臭氧处理，氧气等离子处理，CF₄等离子处理等，主要作用是清洁ITO表面，增加功函数，但是，对降低器件电压效果有限；另一种方法是在HTL中掺杂p型强空穴受体半导体材料，其原理是增加HTL4的空穴传输能力，降低电压，但是往往掺杂的HTL4空穴传输能力太快，难于找到电子传输能力快的电子传输材料，出现空穴传输快，电子传输慢，电荷不平衡，而n型掺杂的ETL6技术因碱性金属活泼不稳定、扩散大，技术不成熟，器件的电荷注入平衡问题难于解决。

发明内容

本发明就是鉴于现有技术的有机发光二极管器件中存在上述缺点而进行的，本发明的一个目的是提供一种既能降低空穴注入势垒、降低电压并能很好解决电荷注入平衡问题的低电压有机发光二极管器件。

本发明的另一个目的是提供一种低电压有机发光二极管器件的制作方法。

本发明为实现上述发明目的而采用的技术方案是：

本发明涉及的低电压有机发光二极管器件包括：一个基板、在基板上形成的阳极、在阳极上形成的有机电致发光功能层、与所述有机电致发光功能层相邻近的空穴传输功能层和电子传输功能层以及在电子传输功能层上形成的阴极，其中，在所述阳极与所述空穴传输功能层之间还包括一层强受体有机分子材料缓冲层，其作用是帮助空穴的注入和传递，降低器件的注入势垒，提高空穴的传递速度，从而降低其器件电压，按图2结构还能减少材料的使用量，降低成本。

为了加强空穴的注入，在所述强受体有机分子材料缓冲层与所述空穴传输功能层之间还增加一层空穴注入层。

所述的强受体有机分子材料包括四氰基对二次甲基萘醌、1，4，5，8四羟基1，4，5，8四硫代基-2，3，6，7-4氰基蒽醌中至少一种，该强受体有机分子材料缓冲层厚度为0.1纳米-100纳米这一范围。

为了得到空穴和电子注入平衡很好的器件，可以通过调整空穴传输功能层的材料选择和厚度调整，使其电荷注入平衡达到最好。

对于底部发光或者双面发光的器件，所述阳极使用透明导电氧化物，如氧化铟锡(ITO)，铟锌氧化物(IZO)，铝锌氧化物(AZO)。

而对于顶部发光的器件，所述阳极选用非透明金属材料，如银(Ag)，金(Au)。

本发明的低电压有机发光二极管器件的制作方法，包括以下步骤：

a.在基板上形成阳极；

b.用光刻法在电极上依次形成阳极图案、绝缘层、电极隔离层；

c.将做好图案的基板用氧气等离子清洁，然后形成强受体有机分子材料缓冲层；

d.然后依次形成空穴传输功能层、有机电致发光功能层、电子传输功能层和阴极；

e.在高纯氮气中封装成器件。

为了加强空穴的注入，步骤c与步骤d之间还可以进一步包括形成空穴注入层的步骤。

本发明的低电压有机发光二极管器件的制作方法中，步骤c所述的强受体有机分子材料缓冲层(3)是采用热蒸镀成膜，也可以是溶液旋涂干燥而形成，以及其它沉积方式。