[发明专利]具有电感的晶片级构装结构及其构装方法有效
申请号: | 200610072221.5 | 申请日: | 2006-04-12 |
公开(公告)号: | CN101055844A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 沈里正 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L25/00;H01L23/488 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;徐金国 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电感 晶片 级构装 结构 及其 方法 | ||
1.一种具有电感的晶片级构装方法,其特征在于,包括有以下的步骤:
提供一第一基板;
形成一第二基板,该第二基板具有多个电感;及
通过多个连接垫接合该第一基板与该第二基板,以使该第一基板与该第二基板间具有间隙,各该连接垫用以将该电感电性连接至该第一基板,
其中,形成该第二基板的步骤包括有:
提供一介电层,该介电层的第一表面形成有一第一金属层,且该介电层的第二表面形成有一第二金属层;
蚀刻该第一金属层与该第二金属层,用以形成各该电感与多个金属导线;
形成多个通孔于该介电层;
形成多个金属导通体于各该通孔,各该金属导通体用以连接该第一金属层与该第二金属层;
形成一第一绝缘层与一第二绝缘层,其中该第一绝缘层覆盖该第一金属层,且该第二绝缘层覆盖该第二金属层;及
蚀刻该第一绝缘层与该第二绝缘层,用以露出该金属导线的多个接点。
2.根据权利要求1所述的具有电感的晶片级构装方法,其特征在于,还包括切割该第一基板与该第二基板,以形成多个具有电感的芯片级构装结构。
3.根据权利要求2所述的具有电感的晶片级构装方法,其特征在于,还包括:将各该芯片级构装设置于一无线传输模块中。
4.根据权利要求1所述的具有电感的晶片级构装方法,其特征在于,还包括形成多个锡球于该第一金属层上。
5.根据权利要求1所述的具有电感的晶片级构装方法,其特征在于,该介电层为一可挠性基材。
6.根据权利要求1所述的具有电感的晶片级构装方法,其特征在于,还包括:形成多个电子元件于该第一基板,各该电感通过各该连接垫与各该电子元件电性连接。
7.根据权利要求1所述的具有电感的晶片级构装方法,其特征在于,该第一基板具有一第一表面与一第二表面,该第一表面与各该连接垫相接,该具有电感的晶片级构装方法还包括:
形成多个电子元件于该第二表面;及
形成多个穿透该第一基板的金属导通体,各该金属导通体电性连接该第一表面的各该连接垫与该第二表面的各该电子元件。
8.一种具有电感的晶片级构装结构,其特征在于,包括有:
一第一基板;
多个连接垫,位于该第一基板上;及
一第二基板,位于各该连接垫上,该第二基板包括有:一介电层;一第一金属层,位于该介电层的第一表面,该第一金属层包括有该电感;一第二金属层,位于该介电层的第二表面;多个金属导通体,位于该介电层的多个通孔中,各该金属导通体用以连接该第一金属层与该第二金属层;一第一绝缘层,位于该第一金属层上;及一第二绝缘层,位于该第二金属层上;
其中,各该连接垫与第二金属层相接,用以将该电感电性连接至该第一基板,该第一基板与该第二基板间具有间隙。
9.根据权利要求8所述的具有电感的晶片级构装结构,其特征在于,还包括多个锡球,配置于该第一金属层上。
10.根据权利要求8所述的具有电感的晶片级构装结构,其特征在于,该介电层为一可挠性基材。
11.根据权利要求10所述的具有电感的晶片级构装结构,其特征在于,该可挠性基材包括有一聚酰亚胺基材或一聚酯基材。
12.根据权利要求8所述的具有电感的晶片级构装结构,其特征在于,该第一基板还包括多个电子元件,各该电感通过各该连接垫与各该电子元件电性连接。
13.根据权利要求8所述的具有电感的晶片级构装结构,其特征在于,该第一基板包括有:
一第一表面,该第一表面与各该连接垫相接;
一第二表面,该第二表面具有多个电子元件;及
多个穿透该第一基板的金属导通体,各该金属导通体电性连接该第一表面的各该连接垫与该第二表面的各该电子元件。
14.根据权利要求8所述的具有电感的晶片级构装结构,其特征在于,该晶片级构装结构还可经切割而形成多个芯片级构装结构。
15.根据权利要求14所述的具有电感的晶片级构装结构,其特征在于,各该芯片级构装结构为一无线传输模块的电感元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造