[发明专利]像素结构及其液晶显示面板

权利要求书

1.一种像素结构，其特征是包含：

基板；

第一金属层，设置于该基板上，该第一金属层包括：

栅极；

扫描线，与该栅极电连接；

第一介电层，设置于该基板上，且覆盖该第一金属层；

半导体层，设置于该栅极上方的该第一介电层上；

第二金属层，包括：

源极与漏极，部分设置于该半导体层上；

数据线，与该源极电连接；以及

像素电极，与该漏极电连接；

其中该漏极具有部分位于该半导体层上的主体部以及自该主体部突出该扫描线外的延伸部，该主体部具有第一长度，而该延伸部与该扫描线的交界处是第二长度，且该第一长度除以该第二长度是预定比值，该预定比值为(ε_SEt_GI+ε_GIt_SE)/(ε_GIt_SE)，ε_SE为该半导体层的介电常数，t_GI为该第一介电层的厚度，ε_GI为该第一介电层的介电常数，t_SE为该半导体层的厚度。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征是该预定比值为4。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征是该栅极为该扫描线本身。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征是该半导体层包括沟道层与欧姆接触层，该沟道层位于该栅极上方的该第一介电层上，该欧姆接触层位于该沟道层上。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征是还包括第二介电层，设置于该基板上，且覆盖该第二金属层。

6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征是该第二介电层具有开口暴露部分该漏极，使位于该第二介电层上的该像素电极通过该开口而电连接该漏极。

7.一种液晶显示面板，其特征是包含：

薄膜晶体管阵列基板，其具有多个像素结构，其中每一个像素结构包括：

基板；

第一金属层，设置于该基板上，该第一金属层包括：

栅极；

扫描线，与该栅极电连接；

第一介电层，设置于该基板上，且覆盖该第一金属层；

半导体层，设置于该栅极上方的该第一介电层上；

第二金属层，包括：

源极与漏极，部分设置于该半导体层上；

数据线，与该源极电连接；

像素电极，与该漏极电连接；

彩色滤光基板，设置于该薄膜晶体管阵列基板的对向；以及

液晶层，设置于该薄膜晶体管阵列基板以及该彩色滤光基板之间；

其中该漏极具有部分位于该半导体层上的主体部以及自该主体部突出该扫描线外的延伸部，该主体部具有第一长度，而该延伸部与该扫描线的交界处是第二长度，且该第一长度除以该第二长度是预定比值，该预定比值为(ε_SEt_GI+ε_GIt_SE)/(ε_GIt_SE)，ε_SE为该半导体层的介电常数，t_GI为该第一介电层的厚度，ε_GI为该第一介电层的介电常数，t_SE为该半导体层的厚度。

8.根据权利要求7所述的液晶显示面板，其特征是该预定比值为4。

9.根据权利要求7所述的液晶显示面板，其特征是该栅极为该扫描线本身。

10.根据权利要求7所述的液晶显示面板，其特征是该半导体层包括沟道层与欧姆接触层，该沟道层位于该栅极上方的该第一介电层上，该欧姆接触层位于该沟道层上。

11.根据权利要求7所述的液晶显示面板，其特征是还包括第二介电层，设置于该基板上，且覆盖该第二金属层。

12.根据权利要求11所述的液晶显示面板，其特征是该第二介电层具有开口暴露部分该漏极，使位于该第二介电层上的该像素电极通过该开口而电连接该漏极。