[发明专利]像素结构及其液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及一种像素结构及其显示面板，且特别是涉及一种栅极漏极间寄生电容(Cgd)不变动的像素结构与应用此像素结构的液晶显示面板。

背景技术

随着视频技术的迅速发展，平面显示器(Flat Display Panel，FDP)已成为人们获得图像信息的重要介面。其中，由于液晶显示器(LiquidCrystal Display，LCD)具备优异的显示性能与成熟的制造技术，故大部分的移动电话、数字相机以及笔记本计算机等的显示屏幕皆使用液晶显示面板(LCD Panel)。

一般而言，液晶显示面板中所具有的薄膜晶体管阵列基板，其制造过程通常包括多次的光刻及蚀刻步骤，意即通过曝光的动作，将光刻掩膜上的图案转移至已形成于基板上的光刻胶层，并通过显影的步骤以图案化光刻胶层。接着，再利用图案化光刻胶层作为蚀刻掩膜，对光刻胶层下方的膜层进行蚀刻，进而形成薄膜晶体管的栅极、半导体层、源极、漏极、像素电极以及保护层等构件。

图1为一种公知像素结构的示意图。请参照图1，此像素结构100适于由扫描线110与数据线120而驱动，且像素结构100包括薄膜晶体管130与像素电极140。薄膜晶体管130是通过接触窗开口150而与像素电极140电连接。其中，此薄膜晶体管130包括栅极130a、半导体层130b、源极130c、漏极130d。而栅极130a与扫描线110是第一金属层(Metal 1)，源极130c、漏极130d与数据线120是第二金属层(Metal 2)。值得注意的是，栅极130a(Metal 1)以及源极130c与漏极130d(Metal 2)之间具有一层介电层(图中未表示)，而使得栅极130a与源极130c、漏极130d之间分别产生栅极源极间寄生电容(以下称为Cgs)以与栅极漏极间寄生电容(以下称作Cgd)。

承上述，利用光刻蚀刻方式制造上述第一金属层与第二金属层的元件时，若发生曝光偏移，将使薄膜晶体管130的Cgs、Cgd产生变动。

图2A为未发生曝光偏移的像素结构以及其像素电压的示意图。图2B为发生曝光偏移的像素结构以及其像素电压的示意图。请先参照图2A，在像素结构100A中，源极130c是位于栅极130a上方，而漏极130d是部分位于栅极130a上方。请再参照图2B，其是产生曝光偏移的情形，亦即，源极130c’、漏极130d’相对于栅极130a’向下方移动，而使得像素结构100B的源极130c’与栅极130a’之间的重合面积减少，且漏极130d’与栅极130a’之间的重合面积增加。

承上述，由于图2B中的漏极130d’与栅极130a’之间的重合面积增加，所以像素结构100B的Cgd将会大于像素结构100A的Cgd。并根据以下的公式(1)，较大的Cgd将会使馈通电压(以下称△Vp)(Feed through voltage)降低。

ΔVp=CgdCgd+Cst+CLCΔVg·········(1)]]>