[发明专利]具有较好的耐焊性的环型变阻器及其制造方法无效
申请号: | 200610072620.1 | 申请日: | 2006-04-05 |
公开(公告)号: | CN101051543A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 卢庆正;林进评;蔡骏宏;李芳宾 | 申请(专利权)人: | 李芳宾 |
主分类号: | H01C7/10 | 分类号: | H01C7/10;H01C17/06 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 较好 耐焊性 变阻器 及其 制造 方法 | ||
1、一种环型变阻器,其特征在于包括:
一陶瓷体;
一银层,其形成于所述陶瓷体上;
一镀镍层,其电镀于所述银层上;及
一镀锡层,其电镀于所述镀镍层上。
2、如权利要求1所述的环型变阻器,其特征在于,所述银层是将银胶以网版印刷方式印制于所述陶瓷体上,且该陶瓷体为半导体陶瓷。
3、如权利要求1所述的环型变阻器,其特征在于,所述银层是在所述陶瓷体上形成至少三个银电极部,所述镀镍层分别电镀于各该银电极部上而形成至少三个镀镍部,该镀锡层则电镀于各该镀镍部上。
4、一种环型变阻器的制法,其特征在于包括以下步骤:
准备一陶瓷基体;
对所述陶瓷基体进行多段式热处理,以形成所需的陶瓷体;
在所述陶瓷体上形成多个银电极;
在所述银电极上分别电镀一镀镍层;及
在所述镀镍层上分别电镀一镀锡层。
5、如权利要求4所述的环型变阻器的制法,其特征在于,所述准备陶瓷基体步骤包括:
准备陶瓷体的粉末状配方;
将所述粉末状配方加以混合成浆状物;
将所述浆状物予以干燥;
在干燥后再予煅烧;
在煅烧后再经过研磨混合;及
在研磨混合后则予以喷雾造粒和干压成型而形成陶瓷基体。
6、如权利要求4所述的环型变阻器的制法,其特征在于,所述多段式热处理步骤包括大气烧结、还原以及氧化的三段式热处理。
7、如权利要求4所述的环型变阻器的制法,其特征在于,所述电极制作步骤,是将银浆以网版印刷方式,在所述陶瓷体上印刷出所需的银电极,且该陶瓷体属于半导体陶瓷。
8、如权利要求4所述的环型变阻器的制法,其特征在于,在电极制作步骤与镀镍步骤之间还包括一电镀扩散效应避免步骤,藉以避免所述银电极在电镀时会产生电镀扩散效应。
9、如权利要求8所述的环型变阻器的制法,其特征在于,所述电镀扩散效应避免步骤,是通过改变电镀前环型变阻器的表面阻值,以避免电镀扩散效应的发生;或通过在陶瓷体上均匀沾附树脂类包覆材料,以避免电镀扩散效应的发生。
10、如权利要求4所述的环型变阻器的制法,其特征在于,在电极制作步骤与镀镍步骤之间还包括一混合陪镀物步骤,藉以控制一电镀槽内容物的电流密度,进而相应地控制电镀速率的快慢以及电镀层应力的大小。
11、如权利要求10所述的环型变阻器的制法,其特征在于,所述混合陪镀物步骤中的电流密度控制,是在控制电流大、电压高、陪镀物尺寸大及陪镀物重量小,藉以相应地控制出较快的电镀速率以及较大的电镀层应力。
12、如权利要求4所述的环型变阻器的制法,其特征在于,所述镀镍步骤中所使用的镍液是使用氨基磺酸镍,且在镀镍步骤或镀锡步骤中,尺寸较大的被镀物,其电镀时间须减少,而尺寸较小的被镀物,其电镀时间须增加,藉以获得相同的电镀层厚度。
13、如权利要求4所述的环型变阻器的制法,其特征在于,所述镀镍层与镀锡层的厚度总合,须小于银电极的厚度,且所述镀镍层的厚度在1~2.5um之间,所述镀锡层的厚度则在3~6um之间。
14、如权利要求4所述的环型变阻器的制法,其特征在于,在镀锡步骤之后还包括一陪镀物分散步骤。
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