[发明专利]快闪记忆卡封装方法无效
| 申请号： | 200610072948.3 | 申请日： | 2006-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101051616A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 刘钦栋 | 申请（专利权）人： | 刘钦栋 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;G06K19/07;B29C45/14;B29C45/17 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所 | 代理人： | 叶树明 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 记忆 封装 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种快闪记忆卡封装方法，其特征在于：所述封装方法的步骤为：
a.将至少一电路基板置入模具内；
b.将热固性材料注入前述模具中；
c.移动电路基板使前述热固性材料包覆其周围及一侧；
b.加热成型，形成一快闪记忆卡的外型。
2.根据权利要求1所述的快闪记忆卡封装方法，其特征在于：其中该电路基板已设有快闪内存相关电路布置的基板。
3.根据权利要求1所述的快闪记忆卡封装方法，其特征在于：其中该热固性材料为电木粉。
4.根据权利要求1所述的快闪记忆卡封装方法，其特征在于：其中步骤b中该热固性材料已预热转换为黏稠性的液态。
5.根据权利要求1所述的快闪记忆卡封装方法，其特征在于：其中步骤C中，该电路基板的移动过程中，该热固性材料已停止注入动作。
6.根据权利要求1所述的快闪记忆卡封装方法，其特征在于：其中步骤D中，该加热成型过程中是将温度上升的预定高温及维持适当时间，使得热固性材料硬化并与电路基板结合在一起。
7.根据权利要求1所述的快闪记忆卡封装方法，其特征在于：其中该封装过程是在一射出成型机中所完成。
8.根据权利要求1所述的快闪记忆卡封装方法，其特征在于：其中该快闪记忆卡为T-Flash。
9.根据权利要求1所述的快闪记忆卡封装方法，其特征在于：其中该快闪记忆为mini-SD。
10.根据权利要求1所述的快闪记忆卡封装方法，其特征在于：其中该快闪记忆为RS-MMC。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
