[发明专利]快闪记忆卡封装方法无效
申请号: | 200610072948.3 | 申请日: | 2006-04-07 |
公开(公告)号: | CN101051616A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 刘钦栋 | 申请(专利权)人: | 刘钦栋 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;G06K19/07;B29C45/14;B29C45/17 |
代理公司: | 北京挺立专利事务所 | 代理人: | 叶树明 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记忆 封装 方法 | ||
技术领域
本发明为一种微型快闪记忆卡封装方法,尤其指一种利用射出成型的方式并采用热固性材料而封装成型的记忆卡。
背景技术
随着科技快速进步的脚步,因应生活外围而产生的物品是趋向小而美且功能强大,就以人手一支的移动电话为例,其功能包含高音质的音乐播放、高画素的照相功能等等。在这些的多功能应用的背后,储存媒介为背后最大的功臣。例如数字卡Secure Digital(SD)card、多媒体片Multi Media Card(MMC)等,而micro SD卡及RS-MMC卡的出现,则使尺寸变小。但最现今一代的微型记忆卡TransFlash(T-flash),尺寸更一步的缩小,规格则乃能与SD、minSD兼容,为移动电话最满意的迷你体积及性能,于速度、性能、交换资料及安全性等更符合使用者各方面的需求。
由于此类的记忆卡体积非常小,例如T-flash尺寸规格仅为15×11×1mm(长×寬×高),现今产业界生产此类微型记忆卡的作法是先制作一大面积的电路板,并于表面直接封装完成,由于单一个电路板上已分布了许多组单一内存的电路,最后再以水刀及雷射方式进行切割的步骤,切割出每个记忆卡所需的既定尺寸及形状。但在切割过程中,会使得封装完成的记忆卡损坏,或是在切割过程中电路基板与封装材料的间产生裂缝,使得不良率提高,因此本发明即思考采用另一种不同于传统的封装方法来改善此问题。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种采用热固性材料进行射出成型方式所完成快闪记忆卡封装的方法,能使生产效率更为快速,不良率也会降低。
本发明的次要目的是提供一种适用于小型或超薄型快闪记忆卡所使用的封装方法,利用此方式能让厂商在生产薄型快闪记忆卡时更为容易,且所完成的记忆卡是个别独立封装密封,无传统裂缝的问题,防水性及封密性更佳。
本发明再一目的是提供一种能减少成本损失及降低不良率的封装方法,运用本发明的封装方法万一发生不良品时,能进一步将封装材料与电路基板分离,重新再次封装电路基板,而传统方式因采用切割方式,即无法重新再次封装,因此本发明能有效减少成本的损失及提升优良率。
为达上述的目的,本发明的封装方法,是先将一电路基板置入一模具中,再将热固性材料注入模具,之后移动电路基板使得热固性材料进一步均匀分布于周围及一侧,最后再加热硬化成型及脱膜,藉此完成快闪记忆卡的封装作业。
为使审查员清楚了解本发明的详细流程及技术内容,本发明人将配合以下的图式及详细的解说,以求审查员清楚了解本发明的精神所在。
附图说明
图1为本发明的流程图;
图2为本发明封装过程中所使用的模具的局部剖面放大图;
图3为本发明封装过程中所使用的模具的局部剖面放大图,此时电基板已置放于模具内;
图4为本发明封装过程中模具内的局部剖面放大图,此时热固性材料已注入模具中;
图5为本发明封装过程中模具内的局部剖面放大图,此时热固性材料进一步包覆于电路基板周围;
图6为本发明封装过程中模具内的局部剖面放大图,此时加热硬化成型。
图中:
2 电路基板
31 主模
310 容置空间
311 顶掣件
32 副模
321 凹陷空间
322 灌注道
4 热固性材料
具体实施方式
如图1所示,为本发明的流程图,其封装方法的步骤为:
步骤11.将已完成电性连接的至少为一个的电路基板置入一射出成型机的模具中;
步骤12.将热固性材料注入前述模具内;
步骤13.移动电路基板使得热固性材料进一步均匀包覆于电路基板周围及一侧;
步骤14.加热至预定温度及时间,使得电路基板外围所包覆的热固性材料硬化成型,最后获得的形状及尺寸皆符合一预定的快闪记忆卡的规格。
前述电路基板为已完成记忆卡电路布置的电路板,并经切割为简单的外型(例如为长方型),一侧面设有数个电性接触部(即俗称的金手指),封装完成后此部份须裸露出来,以供使用时与外界作电性的连接。另一面则为相关的电路芯片的布置位置,本发明欲封装的区域即为此面及周围,并使得最后成型的外观形状符合与记忆卡规格的特殊外型。
为方便审查员更清楚了解本发明的运作方式,本实施例将以T-flash的结构来辅助说明,但不因此限制本发明仅能使用此种记忆卡,任何运用本发明技术所完成的记忆卡结构,皆为本发明的范畴。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造