[发明专利]互补式金属氧化物半导体元件及其形成方法

权利要求书

1.一种互补式金属氧化物半导体元件的形成方法，包括：

提供一衬底，该衬底具有一第一有源区与一第二有源区，且该第一有源区与该第二有源区之间以一隔离结构区隔；

分别于该衬底的该第一有源区与该第二有源区形成一第一型金属氧化物半导体晶体管与一第二型金属氧化物半导体晶体管；

于该衬底上方形成一第一应力层，顺应性地覆盖住该第一型金属氧化物半导体晶体管、该第二型金属氧化物半导体晶体管与该隔离结构；

于该第一应力层上顺应性地形成一第一衬层，其中该第一衬层与该第一应力层具有高蚀刻选择比；

于该第一有源区的该第一衬层上形成一第一光致抗蚀剂层；

以该第一光致抗蚀剂层为掩模，移除部分该第一衬层至暴露出该第一应力层表面；

移除该第一光致抗蚀剂层；

以该第一衬层为掩模，移除部分该第一应力层至暴露出该第二型金属氧化物半导体晶体管；

于该衬底上方形成一第二应力层，顺应性地覆盖该第二型金属氧化物半导体晶体管与该第一衬层；

形成一第二衬层，顺应性地覆盖该第二应力层，其中该第二衬层与该第二应力层具有高蚀刻选择比；

于该第二有源区的该第二衬层上形成一第二光致抗蚀剂层；

以该第二光致抗蚀剂层为掩模，移除部分该第二衬层至暴露出该第二应力层表面；

移除该第二光致抗蚀剂层；以及

以该第二衬层为掩模，移除部分该第二应力层至暴露出该第一衬层表面。

2.如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体元件的形成方法，其中该第一衬层的材质包括氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅或非晶碳。

3.如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体元件的形成方法，其中该第一衬层的厚度介于100～500埃之间。

4.如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体元件的形成方法，其中该第一应力层与该第二应力层的材质包括氮化硅。

5.如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体元件的形成方法，其中该第一应力层与该第二应力层的形成方法包括化学气相沉积法。

6.如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体元件的形成方法，其中该第一应力层与该第二应力层的厚度介于500～1200埃之间。

7.如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体元件的形成方法，其中该第二衬层的材质包括氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅或非晶碳。

8.如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体元件的形成方法，其中该第二衬层的厚度介于100～500埃之间。

9.如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体元件的形成方法，其中该第一型金属氧化物半导体晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管，该第二型金属氧化物半导体晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管，则该第一应力层为拉伸应力层，该第二应力层为压缩应力层。

10.如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体元件的形成方法，其中该第一型金属氧化物半导体晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管，该第二型金属氧化物半导体晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管，则该第一应力层为压缩应力层，该第二应力层为拉伸应力层。

11.一种互补式金属氧化物半导体元件，包括：

一衬底，该衬底具有一第一有源区与一第二有源区，且该第一有源区与该第二有源区之间以一隔离结构区隔；

一第一型金属氧化物半导体晶体管，配置于该衬底的该第一有源区；

一第二型金属氧化物半导体晶体管，配置于该衬底的该第二有源区；

一第一应力层，顺应性地配置于该第一有源区的该第一型金属氧化物半导体晶体管上；

一第一衬层，顺应性地配置于该第一应力层上；

一第二应力层，顺应性地配置于该第二有源区的该第二型金属氧化物半导体晶体管上；以及

一第二衬层，顺应性地配置于该第二应力层上。

12.如权利要求11所述的互补式金属氧化物半导体元件，其中该第一衬层的材质包括氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅或非晶碳。

13.如权利要求11所述的互补式金属氧化物半导体元件，其中该第一衬层的厚度介于100～500埃之间。