[发明专利]一种亚光熔块及其制造方法无效
申请号: | 200610074544.8 | 申请日: | 2006-04-27 |
公开(公告)号: | CN101062870A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 张平华 | 申请(专利权)人: | 霍镰泉 |
主分类号: | C04B41/86 | 分类号: | C04B41/86;C03C8/02 |
代理公司: | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人: | 周春发 |
地址: | 528219广东省佛山市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 亚光 及其 制造 方法 | ||
1、一种亚光熔块,其特征在于:所述亚光熔块各组分的重量百分比为:SiO2 30~40%,ALO3 13~16%,CaO 6~8%,MgO 3~5%,K2O 0.7~1.5%,NaO2 3~4%,ZnO 2~5%,PbO 1~3%,BaO 6~8%,ZnO2 3~6%,B2O3 2~4%,Li2O 0.2~0.6%,废釉、刮边釉10~30%。
2、根据权利要求1所述的一种亚光熔块,其特征在于:所述球磨釉浆细度为325目:0.2~0.5%。
3、一种亚光熔块的制造方法,其特征在于:所述制造方法工艺流程如下:原料进厂→检验→按原料组分配比配料→熔制→水淬→检验→包装。
4、根据权利要求3所述的一种亚光熔块的制造方法,其特征在于:所述熔制温度为1500~1600℃。
5、根据权利要求3所述的一种亚光熔块的制造方法,其特征在于:所述球磨釉浆比重为1.85~1.95g/cm3。
6、根据权利要求3所述的一种亚光熔块的制造方法,其特征在于:所述球磨釉浆流速为65S以下。
7、根据权利要求3所述的一种亚光熔块的制造方法,其特征在于:所述底釉比重为1.82g/cm3,所述底釉重量为:180~200g。
8、根据权利要求3所述的一种亚光熔块的制造方法,其特征在于:所述面釉比重为1.90g/cm3,所述面釉重量为:180~200g。
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