[发明专利]产生对准记号的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种产生对准记号的方法以及其光掩模，特别是涉及一种产生可应用于两种不同曝光机的对准记号的方法以及其光掩模。

背景技术

在半导体工艺的领域之中，光刻工艺已经是制作过程中不可或缺的步骤之一；如业界所公知的，光刻过程包括下列的几个步骤：在基板上方涂布光致抗蚀剂，利用光掩模对基板上的光致抗蚀剂进行曝光以定义电子产品对应的电路图案(circuit pattern)，如此才能够对光致抗蚀剂下的基板进行接下来的蚀刻过程，以形成所需的电路图案；当然，一个电子产品的完成，必须重复执行数次上述的步骤，以液晶面板作为例子来说，就有五个光掩模必须进行光刻，来分别完成栅极层(gate electrode，GE)，半导体层(semiconductor，SE)，源极/漏极层(source drain，SD)，接触层(contact hole，CH)，像素电极层(pixelelectrode，PE)五个不同层的电路图案。

如业界所公知的，在执行前述的曝光过程之前，光掩模必须先正确地对准基板，如此才能够使电路图案很准确地投影到基板上。而对准记号(alignment mark)，顾名思义，便是用来支持前述光掩模与基板之间的对准操作。一般来说，前述对应栅极层(第一层)的光掩模，不但具有电子产品所对应的电路图案，还具有预先定义好的对准记号，因此当执行栅极层的曝光操作时，对准记号便会同时经由栅极层的光掩模形成于基板之上；而之后的多个光掩模(譬如前述对应半导体层、源极/漏极层、接触层、像素电极层的各个光掩模)上也已具有预先定义好的对准记号，因此在执行半导体层、源极/漏极层、接触层、像素电极层的曝光操作之前，利用光掩模上面的对准记号去对准先前形成于基板上面的对准记号，如此便可确保曝光操作的精确度。

然而，对准记号在基板上所形成的位置，会直接影响到整个工艺的结果，在此请参阅图1，图1说明了不同位置的对准记号与曝光的图样的相对应关系。首先，对于栅极层(第一层)的曝光操作而言，在实际操作中，第一层的曝光免不了会有变形的现象(如图中曲线100)。

在此假设栅极层光掩模所定义的对准记号欲曝光于预定位置110，但是如前所述，由于第一层的曝光会有变形的现象，因此对准记号在基板形成的位置会比预定位置110更为内缩；因此当其后的数层光掩模要进行曝光时，光掩模上的对准记号便会落于基板上对准记号的外侧，这造成曝光出来的电路图案(如图1中虚线150)也具有内缩的情形。

另一方面，若假设栅极层光掩模所定义的对准记号预定曝光于预定位置120，但也由于变形的现象，对准记号120在基板形成的位置会较为外扩，因此当其后的数层光掩模要进行曝光时，光掩模上的对准记号便会落于基板上对准记号的内侧，这造成曝光出来的电路图案(如图1中虚线160)也具有外扩的情形。

由此可知，对准记号的不同位置，对于电路图案的形成位置会造成误差(如图1中的差量D)；但是由于这五道光掩模的光刻工艺一般都是由同一个曝光机所完成，对于同一机器来说，五道光掩模利用相同的一组对准记号进行曝光，因此曝光出来的电路图案也不会有太大的误差。

但是各液晶面板制造商有时会使用两种不同的曝光机进行液晶面板的工艺。由于生产速度的考虑，业者会考虑以两种曝光机混搭的方式，来生产液晶面板。举例来说，业者可以先利用第一种曝光机(譬如Canon曝光机)完成数道光掩模，再用第二种曝光机(譬如Nikon曝光机)完成其余的数道光掩模。

在此请参阅图2，图2为现有栅极层光掩模200的示意图。由于两种曝光机的规格不同，其对准记号互不相同，并且对应不同曝光机的对准记号，其摆放位置也有所差异；因此在栅极层光掩模进行曝光时，便会把不同曝光机的对准记号形成于玻璃基板的不同位置。如前所述，当两曝光机混搭来制造液晶面板时，前数道光掩模是依第一对准记号210进行曝光，而其余的光掩模则是依第二对准记号220进行曝光，由于不同曝光机对准记号的摆放位置不一，曝光出来的电路图案便会具有相对应的误差；换句话说，电路图案可能会有不同的重叠(overlap)情形。

发明内容

因此本发明的主要目的之一在于提供一种可应用于两种不同曝光机的对准记号的方法以及其光掩模，以解决现有技术中的问题。