[发明专利]静默电流侦测方法及其装置有效

专利信息
申请号: 200610076725.4 申请日: 2006-04-18
公开(公告)号: CN101059537A 公开(公告)日: 2007-10-24
发明(设计)人: 王弘宗 申请(专利权)人: 聚积科技股份有限公司
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00;G01R31/00;G01R31/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 逯长明
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 静默 电流 侦测 方法 及其 装置
【权利要求书】:

1.一种对半导体组件进行侦测的装置,其特征在于,包括:

一半导体组件,具有能带间隙,并具有一第一接点及一第二接点;

一固定电源,于正常状态下连接至该半导体组件的第一接点,以提供一适当电位;

一驱动控制电路,具有一控制输出端,该控制输出端于正常状态下连接至该半导体组件的第二接点,以驱动该半导体组件;

一电位量测器,连接至该驱动控制电路的控制输出端;

据此,无论该半导体组件是否被驱动,皆能通过该电位量测器的量测结果,来判断该半导体组件是否为开路或短路状态,其中该电位量测器是一比较器,其正极连接至一参考电位,负极连接至该驱动控制电路的控制输出端;通过比较该比较器的正极电位与负极电位,判断该半导体组件是否为开路或短路状态。

2.如权利要求1所述的对半导体组件进行侦测的装置,其特征在于,该半导体组件为一或多个串接的发光二极管,且该第一接点为该一或多个串接的发光二极管的阳极接点,该第二接点为该一或多个串接的发光二极管的阴极接点。

3.如权利要求1所述的对半导体组件进行侦测的装置,其特征在于,该参考电位为该驱动控制电路的电源。

4.如权利要求1所述的对半导体组件进行侦测的装置,其特征在于,该驱动控制电路包括一NMOS晶体管,具有漏极、栅极及源极,其中该漏极为控制输出端。

5.如权利要求1所述的对半导体组件进行侦测的装置,其特征在于,该半导体组件被驱动的导通电流小于200μA。

6.一种对半导体组件的驱动控制电路进行侦测的装置,其特征在于,包括:

一半导体组件,具有能带间隙,并具有一第一接点及以第二接点;

一固定电源,于正常状态下连接至该半导体组件的第一接点,以提供一适当电位;

一驱动控制电路,具有一控制输出端,该控制输出端于正常状态下连接至该半导体组件的第二接点,以驱动该半导体组件;

一电位量测器,连接至该驱动控制电路的控制输出端;

据此,无论该半导体组件是否被驱动,都能通过该电位量测器的量测结果,来判断该半导体组件的驱动控制电路是否为漏电流,其中该电位量测器包括一比较器及一电阻,其中,该比较器的正极连接至一参考电位,该电阻的一端连接至该参考电位,另一端连接至该比较器的负极,该比较器的负极连接至该驱动控制电路的控制输出端;通过比较该比较器的正极电位与负极电位,判断该驱动控制电路是否为漏电流状态。

7.一种对半导体组件进行侦测的方法,用于判断一具有能带间隙的半导体组件的状态,于正常状态下,该半导体组件的一接点连接至一固定电源,另一接点连接至一驱动控制电路的控制输出端,该固定电源用以提供该半导体组件一适当电位,驱动控制电路用以驱动该半导体组件;一比较器的正极连接至一参考电位,负极连接至该驱动控制电路的控制输出端;据此,无论该半导体组件是否被驱动,通过比较该比较器的正极电位与负极电位,皆能判断该半导体组件是否为开路或短路的状态。

8.如权利要求7所述的对半导体组件进行侦测的方法,其特征在于,该半导体组件被驱动的导通电流小于200μA。

9.一种对半导体组件的驱动控制电路进行侦测的方法,其特征在于,用于判断一具有能带间隙的半导体组件的驱动控制电路的状态,于正常状态下,该半导体组件的一接点连接至一个固定电源,另一接点连接至一驱动控制电路的控制输出端,该固定电源用以提供该半导体组件一适当电位,驱动控制电路用以驱动该半导体组件;一比较器的正极连接至一参考电位,一电阻的一端连接至该参考电位,另一端连接至该比较器的负极,同时该比较器的负极连接至该驱动控制电路的控制输出端;通过比较该比较器的正极电位与负极电位;据此,无论该半导体组件是否被驱动,都能判断该半导体组件的该驱动控制电路是否为漏电流的状态。

10.如权利要求9所述的对半导体组件的驱动控制电路进行侦测的方法,其特征在于,该半导体组件被驱动的导通电流小于200μA。

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