[发明专利]静默电流侦测方法及其装置有效
申请号: | 200610076725.4 | 申请日: | 2006-04-18 |
公开(公告)号: | CN101059537A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
发明(设计)人: | 王弘宗 | 申请(专利权)人: | 聚积科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00;G01R31/00;G01R31/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 静默 电流 侦测 方法 及其 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种对半导体组件进行侦测的方法与装置,尤指一种利用半导体材料具有能带间隙特性进行对半导体组件进行侦测的方法及其装置。
背景技术
发光二极管(LED)目前已广泛应用作为照明指示的光源。然而,发光二极管的公知保养维修技术,必须经由点亮后才能确定是否异常。对于一般的照明指示,通过点亮发光二极管来发现异常状况,或许不会造成太大困扰。但对于交通号志、车灯等用途,若在行驶中点亮号志或车灯,可能造成意想不到的危险;若不在行驶时点亮,又无法达到及时侦测的效果。
因此,本发明提供一种对半导体组件进行侦测(silent current detection)简称静默侦测装置,或称为零电流侦测(zero current detection)装置,可在不点亮发光二极管的情况下,达到侦测异常状态的目的。由于本发明乃利用一般半导体材料具有能带间隙(energy bandgap)的特性;因此,除了发光二极管之外,本发明将可适用于所有以具有能带间隙的材料制成的组件。
发明内容
本发明的目的在于提供一种对半导体组件进行侦测的装置,毋需驱动半导体组件,便可判断该半导体组件或其驱动控制电路的状态。
本发明的提供一种对半导体组件进行侦测的方法,是用于判断一具有能带间隙(energy bandgap)的半导体组件的状态,例如发光二极管,或其驱动控制电路的状态。于正常状态下,该半导体组件的一接点连接至一固定电源,另一接点连接至一驱动控制电路的控制输出端,该固定电源用以提供该半导体组件一适当电位,驱动控制电路用以驱动该半导体组件;一比较器的正极连接至一参考电位,负极连接至该驱动控制电路的控制输出端;据此,无论该半导体组件是否被驱动,通过比较该比较器的正极电位与负极电位,皆可判断该半导体组件是否为开路或短路的状态。
本发明的对半导体组件进行侦测的侦测装置包括一半导体组件、一固定电源、一驱动控制电路及一电位量测器。该半导体组件具有能带间隙(energybandgap),并具有一第一接点及一第二接点。于正常状态下,固定电源连接至该半导体组件的第一接点,以提供一适当电位。驱动控制电路具有一控制输出端,于正常状态下连接至该半导体组件的第二接点,以驱动该半导体组件。电位量测器连接至该驱动控制电路的输出端。据此,无论该半导体组件是否被驱动,皆可通过该电位量测器的量测结果,以判断该半导体组件是否为开路或短路的状态,其中该电位量测器是一比较器,其正极连接至一参考电位,负极连接至该驱动控制电路的控制输出端;通过比较该比较器的正极电位与负极电位,判断该半导体组件是否为开路或短路状态。
一种对半导体组件的驱动控制电路进行侦测的装置,包括:一半导体组件,具有能带间隙,并具有一第一接点及以第二接点;一固定电源,于正常状态下连接至该半导体组件的第一接点,以提供一适当电位;一驱动控制电路,具有一控制输出端,该控制输出端于正常状态下连接至该半导体组件的第二接点,以驱动该半导体组件;一电位量测器,连接至该驱动控制电路的控制输出端;据此,无论该半导体组件是否被驱动,都能通过该电位量测器的量测结果,来判断该半导体组件的驱动控制电路是否为漏电流,其中该电位量测器包括一比较器及一电阻,其中,该比较器的正极连接至一参考电位,该电阻的一端连接至该参考电位,另一端连接至该比较器的负极,该比较器的负极连接至该驱动控制电路的控制输出端;通过比较该比较器的正极电位与负极电位,判断该驱动控制电路是否为漏电流状态。
一种对半导体组件的驱动控制电路进行侦测的方法,用于判断一具有能带间隙的半导体组件的驱动控制电路的状态,于正常状态下,该半导体组件的一接点连接至一个固定电源,另一接点连接至一驱动控制电路的控制输出端,该固定电源用以提供该半导体组件一适当电位,驱动控制电路用以驱动该半导体组件;一比较器的正极连接至一参考电位,一电阻的一端连接至该参考电位,另一端连接至该比较器的负极,同时该比较器的负极连接至该驱动控制电路的控制输出端;通过比较该比较器的正极电位与负极电位;据此,无论该半导体组件是否被驱动,都能判断该半导体组件的该驱动控制电路是否为漏电流的状态。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于聚积科技股份有限公司,未经聚积科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610076725.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。