[发明专利]覆晶式取像模块封装结构及其封装方法无效
申请号: | 200610078249.X | 申请日: | 2006-05-18 |
公开(公告)号: | CN101075624A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
发明(设计)人: | 谢有德 | 申请(专利权)人: | 大瀚光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/60 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 覆晶式取像 模块 封装 结构 及其 方法 | ||
技术领域
本发明涉及的是一种覆晶式取像模块封装结构及方法,特别涉及的是一种覆晶式取像模块封装结构,可整合覆晶封装与立柱凸块键合(stud bump bonding,SBB)技术,达到简化制程、降低成本。
背景技术
随着科技发达与消费者强力需求下,各式各样的随身信息电子产品以及设备因应而生,而手机结合数字相机功能,即是其中一项重要的发明。观察目前市售所有手机,可以发现都朝向轻薄短小去发展,尤其是具有照像功能的手机,更是当红的机种,甚至有人预测以后手机会完全取代数字相机,成为结合照像、通讯、上网等,具有多功能的整合机种。
请参阅图1所示,其是为现有微型取像模块(Compact Camera Module,CCM)的结构示意图。现有的微型取像模块1是包括有:一基板10、一取像感测芯片11及一盖体结构12,其中,将该取像感测芯片11设置在基板10上,并将盖体结构12环绕该取像感测芯片11设在该基板10上,用以保护该取像感测芯片11,且在该盖体结构12上设置一盖板120,使取像感测芯片11可透过镜头2撷取外界影像。
然而,现有的微型取像模块结构,是使用传统锡球封装或打线方式将取像感测芯片11封装至基板10上,容易因微粒(particle)污染,造成封装质量不良,故其稳定性不足。且在现有的制程中,需要盖体结构12,增加了制程的困难度,且也同时增加了成本,如此较高成本、较复杂制程、稳定性不足的现有封装技术,乃是业界急在改良的封装技术。
发明内容
本发明的第一目的,在于提供一种覆晶式取像模块封装结构及其封装方法,其是使用覆晶封装技术将取像感测芯片封装至基板上,以降低微粒污染,提高制程良率与可靠度。
本发明的另一目的,在于提供一种覆晶式取像模块封装结构及其封装方法,其是使用陶瓷或高分子基板,以提高取像模块封装结构的可靠度。
本发明的再一目的,在于提供一种覆晶式取像模块封装结构及其封装方法,该覆晶式取像模块封装结构的厚度,可满足超薄的需求(1.5mm),使取像模块封装结构厚度更具有弹性,以符合产品轻薄短小的需求。
本发明的更一目的,在于提供一种覆晶式取像模块封装结构及其封装方法,其制程更为简化,降低制造成本,以提升产品竞争力。
为达上述的目的,本发明是提供一种覆晶式取像模块封装结构较佳实施例,其是主要是包括有:一基板、一玻璃、一导电层、一导电部、一取像感测芯片、一封胶堤所组成,其中,该基板具有一第一基板面及一第二基板面,且以一开口连通该第一基板面与该第二基板面;该玻璃是对应该开口设在该第一基板面上;该导电层是设在该第二基板面上;
所述的导电部为一导电凸块或一异方性导电膜;
该导电凸块或该异方性导电膜是设在该导电层上,该导电凸块是由一立柱凸块与一接合剂所组成;该取像感测芯片是具有一作动面与一非作动面,在该作动面上设有一焊垫,该取像感测芯片是以该焊垫与该导电凸块接合导通电性,且该作动面是对应该开口设置;该封胶堤是环绕该取像感测芯片设在该导电层上,且将一金属导线设在该封胶堤上,用以导通该导电层的电性,再将一软性印刷电路板对应该非作动面设在该封胶堤上,通过该金属导线与该导电层电性导通。
本发明是提供一种覆晶式取像模块封装结构另一较佳实施例,是使用类似盖体结构的基板,搭配延内缘设置的导线架导通电性,完成另一种覆晶式取像模块封装结构。
本发明是提供一种覆晶式取像模块封装结构再一较佳实施例,是使用一复合基板,该复合基板是由一基板与一软性印刷电路板所组成,该软性印刷电路板是由该基板侧边延伸出,且与该基板电性导通,以完成另一种覆晶式取像模块封装结构。
本发明是提供一种覆晶式取像模块封装方法,主要使用立柱凸块键合方式有效降低成本,该方法是包括以下步骤:提供一完成前段制程的基板,该基板具有一导电层;将一取像感测芯片的作动面面对该导电层设置;形成一立柱凸块;形成一接合剂在该立柱凸块上;以热压固化方式将该基板与该取像感测芯片结合,使该取像感测芯片通过该接合剂与该立柱凸块固接在该基板,且与该基板电性导通;以及,填充保护胶。
附图说明
图1是为现有微型取像模块的结构示意图;
图2A是为本发明的覆晶式取像模块封装结构第一较佳实施例示意图;
图2B是为本发明的覆晶式取像模块封装结构第一较佳实施例的导电凸块33局部放大第一示意图;
图2C是为本发明的覆晶式取像模块封装结构第一较佳实施例的导电凸块33局部放大第二示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的