[发明专利]反射盖形成方法及其结构以及利用该反射盖的承载装置

权利要求书

1.一种发光二极管的反射盖的形成方法，包含：

至少一第一生胚结构，其中该第一生胚结构具有一第一开孔图案；

一第二生胚结构设置于该第一生胚结构上；

一金属结构于该第二生胚结构上；

以使第二生胚结构得以沿第一生胚结构的开孔图案而塑形并覆盖于第一生胚结构上；

金属结构形成在沿第一生胚上的第一开孔图案而塑形的第二生胚结构的侧壁以及底部上，金属结构包括反射部和电极部，两者之间电性绝缘，反射部形成在第二生胚结构依照第一开孔图案而形成的凹槽的侧壁上，该电极部形成在凹槽的底部。

2.如权利要求1所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该第一生胚结构由多层陶瓷生胚结构堆积而成，且各陶瓷生胚结构是利用冲孔形成开孔，而各开孔则堆栈形成第一开孔图案。

3.如权利要求1所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该第二生胚结构由多层陶瓷生胚结构堆积而成。

4.如权利要求1所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中由热塑形方式或压合方式使第二生胚结构沿第一生胚结构的开孔图案而塑形。

5.如权利要求4所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该热塑形方式或压合方式利用一塑形结构热压于第二生胚结构上。

6.如权利要求5所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该塑形结构至少包含有一设于第一、二离型膜间的平板层以及设于第二离型膜上的缓冲层，并利用该第一离型膜接触金属结构与第二生胚结构。

7.如权利要求6所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该第一离型膜与平板层分别设有第二、三开孔图案，该第二、三开孔图案与第一开孔图案的开孔率相同或相异，所形成反射盖侧壁与孔缘之间的形状与第二、三开孔图案的开孔率相配合。

8.如权利要求7所述发光二极管的反射盖的形成方法，该第二、三开孔图案的开孔率大于第一开孔图案的开孔率，于塑形的过程中则形成防胶溢流圈的结构。

9.如权利要求1所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该金属结构是利用涂布方式或厚膜印刷形成一银层设置于第二生胚结构上。

10.如权利要求1所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该金属结构是于第一、二生胚结构共烧后形成导电或反射层，进一步利用电镀方式于第二生胚结构表面金属结构上形成镀层。

11.如权利要求1所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中于第一生胚结构一侧进一步设置一基座。

12.如权利要求11所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该基座为金属材质。

13.如权利要求11所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该基座与第二生胚结构间设有导热管。

14.一种发光二极管的反射盖的形成方法，包含：

至少一第一生胚结构，其中该第一生胚结构具有一第一开孔图案；

一第二生胚结构设置于该第一生胚结构上；

一金属结构于该第二生胚结构上且相对应于第一开孔图案，金属结构包括反射部和电极部，两者之间电性绝缘，反射部形成在第二生胚结构依照第一开孔图案而形成的凹槽的侧壁上，该电极部形成在凹槽的底部；

利用热塑形方式或压合方式使第二生胚结构得以由第一生胚结构的开孔图案而塑形，而该金属结构形成第一开孔图案的侧壁及底部。

15.如权利要求14所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该第一生胚结构由多层陶瓷生胚结构堆积而成，且各陶瓷生胚结构是利用冲孔形成开孔，而各开孔则堆栈形成第一开孔图案。

16.如权利要求14所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该第二生胚结构由多层陶瓷生胚结构堆积而成。

17.如权利要求14所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该热塑形方式或压合方式利用一塑形结构热压于第二生胚结构上。

18.如权利要求17所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该塑形结构至少包含有一设于第一、二离型膜间的平板层以及设于第二离型膜上的缓冲层，并利用该第一离型膜接触金属结构与第二生胚结构。