[发明专利]反射盖形成方法及其结构以及利用该反射盖的承载装置无效
申请号: | 200610080974.0 | 申请日: | 2006-05-26 |
公开(公告)号: | CN101079457A | 公开(公告)日: | 2007-11-28 |
发明(设计)人: | 张正兴;谢荣修;陈国湖;吴景雅;李敏丽 | 申请(专利权)人: | 鋐鑫电光科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人: | 周春发 |
地址: | 台湾省桃园*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 形成 方法 及其 结构 以及 利用 承载 装置 | ||
技术领域
本发明有关于反射盖形成方法及其结构以及利用该反射盖的承载装置,尤指一种发光二极管的陶瓷反射盖的塑形方法,并可选择发光二极管承载装置的承载角度。
背景技术
由于,发光二极管具备有体积小、低耗电、低热度以及寿命长等特性,如圣诞灯饰、手电筒、车辆信号灯、交通标志等商品,已逐渐利用发光二极管所替代功能相近的传统钨丝灯泡;又,一般发光二极管的基本构造,是在一透明封装体的内部设有不同极性的导电端以及一承载部,其承载部处设有一芯片,另设有金线构成芯片的电极层与导电端的连接,而各导电端并延伸出透明封装体外部成为电源接点。
而发光二极管发光光谱或亮度特性,主要是由构成发光二极管芯片的化合物半导体所决定,发光亮度或视野角度等光的特性则受发光二极管芯片的封装基板影响很大。
而习知的发光二极管封装结构中,可采取反射盖来反射发光二极管芯片所发出的光,一般而言,反射盖的制作方式有钻孔加工的方式、冲压法与压合的方式,但上述各加工方式的成本高、斜面粗糙而不利于光反射的模式、反射盖的孔形受到限制、无法制作积层线路,因此无法降低发光二极管的封装成本且无法增加发光二极管的取光效率。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的是以厚膜印刷方式于生胚结构上形成有金属结构,尤其是印刷反射银层,取代习的的镀膜技术并可提升发光二极管的取光效率,且利用热压的压合方式应用于以陶瓷生胚为主的反射盖上,可制作发光二极管光形设计所需反射盖孔形与角度,解决陶瓷反射盖塑形不易的问题。
为达上述目的,本发明的发光二极管成型方式是提供第一、二生胚结构该第一生胚结构并设有第一开孔图案,并将第二生胚结构设置于第一生胚结构上,而第二生胚结构涂布有一金属结构,最后再使第二生胚结构得以沿第一生胚结构的开孔图案而塑形并覆盖于第一生胚结构上。
附图说明
图1为本发明中发光二极管成型方式的流程步骤图;
图2为本发明中的一实施例反射盖材料结构的剖面示意图;
图3为本发明中发光二极管的成型结构剖面示意图;
图4为本发明中的另一实施例反射盖材料结构的剖面示意图;
图5为本发明中发光二极管的另一成型结构剖面示意图;
图6为本发明中塑形结构的剖面示意图;
图7为本发明中堆栈反射盖材料结构与塑形结构的剖面示意图;
图8为本发明中反射盖的剖面示意图;
图9A、B、C为本发明中反射盖侧壁为一固定斜率的剖面示意图;
图10A、B、C为本发明中反射盖侧壁为一曲面的剖面示意图;
图11为本发明中堆栈反射盖材料结构与塑形结构的另一剖面示意图;
图12为本发明中的再一实施例反射盖材料结构的剖面示意图。
【图号说明】
10-第一生胚结构
10’-第一陶瓷结构
10a、10b、10c-陶瓷层
11-第一开孔图案
11’-第一开孔图案
11a、11b、11c-开孔
20-第二生胚结构
20’-第二陶瓷结构
21-第四开孔图案
22’-承载凹面
30-金属结构
30’-金属结构
32-反射部
33-电极部
40、40’-塑形结构
41-第一离型膜
411-第二开孔图案
42-第二离型膜
43-平板层
431-第三开孔图案
44-缓冲层
50-堆栈结构
51-侧壁
52-反射盖面
53-夹角
54-弧角
55-防胶溢流圈
60-基座
61-导热管
具体实施方式
为能使贵审查员清楚本发明的组成,以及实施方式,兹配合图式说明如下:
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