[发明专利]金属氧化物半导体晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种制作金属氧化物半导体晶体管的方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成栅极结构；

在所述栅极结构周围形成偏间隙壁；

在所述偏间隙壁周围形成牺牲间隙壁；

以所述栅极结构及所述牺牲间隙壁作为掩模，进行蚀刻工艺，以在所述栅极结构两侧的所述基底中形成二凹槽；

进行选择性外延工艺，以在所述凹槽中形成外延层，且所述外延层位于所述牺牲间隙壁的外侧；

去除所述牺牲间隙壁；以及

在所述偏间隙壁外侧的所述基底中，以及所述外延层中形成多个漏极/源极延伸区。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述外延层完成后，进行离子注入工艺，在所述外延层中注入掺杂物。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述选择性外延工艺的外延材料包括有掺杂物。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述漏极/源极延伸区完成后，还包括以下步骤：

在所述偏间隙壁外侧和部分所述外延层上方形成主要间隙壁；以及

以所述主要间隙壁作为掩模，进行离子注入工艺，在未被所述主要间隙壁覆盖的所述外延层中形成多个漏极/源极。

5.一种制作互补式金属氧化物半导体晶体管的方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一栅极结构、第二栅极结构；

在所述第一栅极结构周围形成第一偏间隙壁；

在所述第二栅极结构周围形成第二偏间隙壁；

在所述第二偏间隙壁周围形成牺牲间隙壁；

在所述第一栅极结构和部分所述基底上方，形成图案化硬掩模；

进行蚀刻工艺，以所述图案化硬掩模、所述第二栅极结构及所述牺牲间隙壁作为蚀刻掩模，以在所述第二栅极结构两侧形成二凹槽；

去除所述图案化硬掩模；以及

进行选择性外延工艺，以形成外延层在所述凹槽中，且所述外延层位于所述牺牲间隙壁的外侧；

去除所述第一偏间隙壁和所述牺牲间隙壁；

在所述第一栅极结构的两侧的所述基底中形成二第一漏极/源极延伸区；以及

在所述第二栅极结构的所述第二偏间隙壁外侧的所述基底中形成二第二漏极/源极延伸区。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述第二偏间隙壁和所述牺牲间隙壁由不同蚀刻选择比的材料组成。

7.如权利要求5所述的方法，其中所述外延层完成后，还包括进行离子注入工艺，在所述外延层中注入掺杂物。

8.如权利要求5所述的方法，其中所述选择性外延工艺的外延材料包括有掺杂物。

9.如权利要求5所述的方法，其中所述第一、第二漏极/源极延伸区完成后，又包括以下步骤：

在所述第二偏间隙壁外侧和部分所述外延层上方形成主要间隙壁，以及在所述第一栅极结构周围形成次偏间隙壁；

在所述第二栅极结构和部分所述基底上方形成第一光致抗蚀剂层；

进行第一离子注入工艺，以在所述第一栅极结构的两侧的所述基底中形成二第一漏极/源极；

去除所述第一光致抗蚀剂层；

在所述第一栅极结构和部分所述基底上方形成第二光致抗蚀剂层；以及

进行第二离子注入工艺，在未被所述主要间隙壁覆盖的所述外延层中形成二第二漏极/源极。

10.一种制作互补式金属氧化物半导体晶体管的方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一栅极结构、第二栅极结构；

在所述第一栅极结构周围形成第一偏间隙壁，在所述第二栅极结构周围形成第二偏间隙壁；

在所述第一偏间隙壁周围形成第一牺牲间隙壁，并在所述第二偏间隙壁周围所述形成第二牺牲间隙壁；

在所述基底上形成图案化硬掩模；

进行蚀刻工艺，以所述图案化硬掩模作为蚀刻掩模，以在所述第一、第二栅极结构两侧形成多个凹槽；

去除所述图案化硬掩模；以及

进行选择性外延工艺，以在所述凹槽中形成外延层，所述外延层分别位于所述第一、第二牺牲间隙壁的外侧；

去除所述第一、第二牺牲间隙壁；以及

在所述第一栅极结构的第一偏间隙壁外侧的所述基底中和第二栅极结构的第二偏间隙壁外侧的所述基底中形成多个第一、第二漏极/源极延伸区。