[发明专利]一种照明用氮化镓基发光二极管器件

权利要求书

1.一种照明用氮化镓基发光二极管器件，其特征在于，该二极管器件包括：

n型衬底(2)；

在n型衬底(2)上依次外延生长的n型GaN基化合物(4)和p型InGaN有源层(7)；

在p型InGaN有源层(7)上制备的p型透明电极(9)；和

在n型衬底(2)的背面制备的n型电极(10)。

2.根据权利要求1所述的照明用氮化镓基发光二极管器件，其特征在于，该二极管器件在所述p型InGaN有源层(7)与p型透明电极(9)之间进一步包括：

p型GaN基化合物(5)，该p型GaN基化合物(5)在n型衬底(2)上按照n型GaN基化合物(4)、p型InGaN有源层(7)和p型GaN基化合物(5)的顺序依次外延生长而成，并在p型GaN基化合物(5)上制备p型透明电极(9)。

3.根据权利要求2所述的照明用氮化镓基发光二极管器件，其特征在于，该二极管器件在所述p型InGaN有源层(7)与n型GaN基化合物(4)之间进一步包括：

n型InGaN有源层(6)，该n型InGaN有源层(6)在n型衬底(2)上按照n型GaN基化合物(4)、n型InGaN有源层(6)、p型InGaN有源层(7)和p型GaN基化合物(5)的顺序依次外延生长而成。

4.根据权利要求1所述的照明用氮化镓基发光二极管器件，其特征在于，该二极管器件在所述p型InGaN有源层(7)与n型GaN基化合物(4)之间进一步包括：

n型InGaN有源层(6)，该n型InGaN有源层(6)在n型衬底(2)上按照n型GaN基化合物(4)、n型InGaN有源层(6)和p型InGaN有源层(7)的顺序依次外延生长而成。

5.根据权利要求4所述的照明用氮化镓基发光二极管器件，其特征在于，该二极管器件在所述p型InGaN有源层(7)与p型透明电极(9)之间进一步包括：

p型GaN基化合物(5)，该p型GaN基化合物(5)在n型衬底(2)上按照n型GaN基化合物(4)、n型InGaN有源层(6)、p型InGaN有源层(7)和p型GaN基化合物(5)的顺序依次外延生长而成，并在p型GaN基化合物(5)上制备p型透明电极(9)。

6.根据权利要求1所述的照明用氮化镓基发光二极管器件，其特征在于，该二极管器件在p型InGaN有源层(7)上进一步包括：

n型GaN基化合物(4)，该n型GaN基化合物(4)在n型衬底(2)上按照n型GaN基化合物(4)、p型InGaN有源层(7)和n型GaN基化合物(4)的顺序依次外延生长而成，并采用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法，将最外层的n型GaN基化合物(4)局部去除，露出p型InGaN有源层(7)，在露出的p型InGaN有源层(7)上制备p型电极(13)，在剩余未刻蚀的最外层n型GaN基化合物(4)上制备n型透明电极(12)。

7.根据权利要求6所述的照明用氮化镓基发光二极管器件，其特征在于，该二极管器件进一步包括：

连接n型透明电极(12)与n型电极(10)，它们与p型电极(13)形成两个pn异质结的并联；

所述pn异质结为p型InGaN有源层(7)与其两侧n型GaN基化合物(4)所形成的pn异质结。

8.根据权利要求6所述的照明用氮化镓基发光二极管器件，其特征在于，该二极管器件在p型InGaN有源层(7)与最外层n型GaN基化合物(4)之间进一步包括：

n型InGaN有源层(6)，该n型InGaN有源层(6)在n型衬底(2)上按照n型GaN基化合物(4)、p型InGaN有源层(7)、n型InGaN有源层(6)和n型GaN基化合物(4)的顺序依次外延生长而成，并采用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法，将最外层n型GaN基化合物(4)和次外层n型InGaN有源层(6)局部去除，露出p型InGaN有源层(7)。