[发明专利]半导体应变弛豫材料的制作方法无效
| 申请号： | 200610089447.6 | 申请日： | 2006-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101097850A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 成步文;姚飞;薛春来;张建国;左玉华;王启明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 应变 材料 制作方法 | ||
1、一种半导体应变弛豫材料的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在硅衬底上生长应变的锗硅薄膜；
(2)在衬底上制作柔性键合介质；
(3)将步骤(1)的锗硅薄膜/硅衬底与步骤(2)的衬底/柔性键合介质柔性键合，锗硅薄膜与柔性键合介质相对；
(4)将硅衬底去除；
(5)对去除硅衬底后的材料进行热处理，使锗硅薄膜的应变发生弛豫，形成锗硅半导体应变弛豫材料。
2、根据权利要求1所述的一种半导体应变弛豫材料的制作方法，其特征在于，其中应变锗硅薄膜的生长方法是固体源分子束外延、气体源分子束外延、化学束外延、化学汽相淀积。
3、根据权利要求1所述的一种半导体应变弛豫材料的制作方法，其特征在于，其中柔性键合介质是掺磷或者同时掺有磷和硼的二氧化硅材料。
4、根据权利要求1所述的一种半导体应变弛豫材料的制作方法，其特征在于，其中柔性键合介质是硅乳胶。
5、根据权利要求1所述的一种半导体应变弛豫材料的制作方法，其特征在于，其中柔性键合介质是铟或其它熔点低于1000℃的金属材料。
6、根据权利要求1所述的一种半导体应变弛豫材料的制作方法，其特征在于，其中键合前锗硅薄膜的表面也有柔性键合介质。
7、根据权利要求1所述的一种半导体应变弛豫材料的制作方法，其特征在于，其中硅衬底的去除方法是智能剥离方法。
8、根据权利要求1所述的一种半导体应变弛豫材料的制作方法，其特征在于，其中硅衬底的去除方法是背面减薄和腐蚀的方法。
9、根据权利要求1所述的一种半导体应变弛豫材料的制作方法，其特征在于，其中衬底是硅半导体材料。
10、根据权利要求1所述的一种半导体应变弛豫材料的制作方法，其特征在于，其中衬底的表面有绝缘介质层二氧化硅或氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
