[发明专利]多重鳍状场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种多重鳍状场效应晶体管，包括：

一衬底，该衬底被一沟渠环绕，其中预定形成栅极的一区域的该衬底中具有至少二鳍状硅层；

一氧化层，配置于该沟渠中，且该氧化层的顶部表面低于该些鳍状硅层的顶部表面；

一导体层，配置于该衬底的该区域中，该导体层的顶部表面高于该些鳍状硅层的顶部表面；

一栅氧化层，配置于该导体层与该些鳍状硅层之间，且位于该导体层与该衬底之间；以及

一掺杂区，配置于该导体层两侧的该衬底中。

2.如权利要求1所述的多重鳍状场效应晶体管，更包括一金属硅化物层，配置于该导体层与该掺杂区的表面。

3.如权利要求2所述的多重鳍状场效应晶体管，其中该金属硅化物层的材料包括硅化钴、硅化钛、硅化钨、硅化钽、硅化钼或硅化镍。

4.如权利要求1所述的多重鳍状场效应晶体管，更包括一衬氧化层，配置于该沟渠侧壁的该衬底表面；以及一衬氮化层，配置于该氧化层与该衬氧化层之间。

5.如权利要求1所述的多重鳍状场效应晶体管，其中该掺杂区包括一轻掺杂区与一重掺杂区。

6.如权利要求1所述的多重鳍状场效应晶体管，更包括一间隙壁，配置于该导体层两侧的该衬底上，且覆盖住部分该掺杂区，其中该间隙壁的材料包括氧化硅或氮化硅。

7.如权利要求1所述的多重鳍状场效应晶体管，其中该导体层的材料包括多晶硅或掺杂多晶硅。

8.一种多重鳍状场效应晶体管的制作方法，包括：

提供一衬底，具有至少一沟渠于该衬底中，且该衬底的上表面覆盖一垫层；

填满一第一氧化层于该沟渠中，其中该第一氧化层的顶部高度高于该衬底的上表面，并移除部分该垫层，以形成一开口；

由该开口侧壁交错形成一第一环形绝缘层与一第二环形绝缘层；

于该衬底上方形成一掩模层，覆盖住部分的该第一环形绝缘层以及该第二环形绝缘层，且暴露出预定形成栅极的一区域；

以该掩模层为掩模，移除部分的该第二环形绝缘层，至暴露部分该衬底的表面；

以该掩模层与该第一环形绝缘层为掩模，移除部分的该衬底，以形成二鳍状硅层；

移除该掩模层；

于该二鳍状硅层侧壁及该衬底表面形成一栅氧化层；

于该衬底上方的该区域内形成一导体层；

移除未被该导体层覆盖住的该第一环形绝缘层、部分该第一氧化层以及该第二环形绝缘层，至暴露出该衬底的表面；以及

以该导体层为掩模，于该衬底中形成一轻掺杂区。

9.如权利要求8所述的多重鳍状场效应晶体管的制作方法，其中提供一衬底，具有至少一沟渠于该衬底中，且该衬底的上表面覆盖一垫层的方法包括：

提供一衬底，于该衬底上依序形成有一垫层与一图案化光致抗蚀剂层；

移除未被该图案化光致抗蚀剂层覆盖住的该垫层以及部分该衬底，以形成一沟渠；以及

移除该图案化光致抗蚀剂层。

10.如权利要求8所述的多重鳍状场效应晶体管的制作方法，其中填满该第一氧化层于该沟渠之前，更包括于该沟渠侧壁的该衬底表面上依序形成一衬氧化层与一衬氮化层。

11.如权利要求8所述的多重鳍状场效应晶体管的制作方法，更包括：

于该导体层两侧的该衬底上形成一间隙壁；以及

以该导体层与该间隙壁为掩模，于该衬底中形成一重掺杂区。

12.如权利要求11所述的多重鳍状场效应晶体管的制作方法，其中于该重掺杂区形成之后，更包括于该导体层与该重掺杂区的表面形成一金属硅化物层。

13.如权利要求12所述的多重鳍状场效应晶体管的制作方法，其中该金属硅化物层的材料包括硅化钴、硅化钛、硅化钨、硅化钽、硅化钼或硅化镍。