[发明专利]偏光片用表面保护膜无效

专利信息
申请号: 200610099473.7 申请日: 2006-07-24
公开(公告)号: CN101114026A 公开(公告)日: 2008-01-30
发明(设计)人: 谢嵩岳;冯殿润;张纪铭;曹俊哲;颜世勋 申请(专利权)人: 南亚塑胶工业股份有限公司
主分类号: G02B1/10 分类号: G02B1/10;G02B5/30
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周长兴
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 偏光 表面 保护膜
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种制造使用于偏光片表面的保护膜,由在聚合物膜(polymer film)上涂布的方法产生一种具有防污抗静电的薄膜,而此涂布液主要包括聚赛吩和界面活性剂。

背景技术

液晶显示器的制造是将各类光学组件加以积层化,其中最外层的偏光片(板)以表面保护膜加以覆盖,以避免在组装步骤或偏光片配运过程中,受到灰尘沾黏导致光学检测误判,或静电累积导致液晶组件受损以及吸收水分导致偏光片受潮影响其可靠度。

一般抗静电涂布的薄膜,用途非常广泛,例如照相底片、电子包装材及其它包装材,此抗静电涂布液为传统已知的各种界面活性剂型、高分子型及导电性填料,但普遍存在抗静电性无法持久、易受湿气影响、薄膜光透过率差以及抗静电剂移转污染等缺点,乃至于最近的导电高分子聚苯胺(polyaniline)及聚砒咯(polypyrrole),亦有薄膜光透过率差的问题。

以聚赛吩(polythiophene)为主的涂布薄膜,虽然已被运用,但仍存在着与聚合物膜接着不良、添加比例过高、无法与一般连结剂及溶剂兼容等问题,本发明利用特殊水性连结剂及界面活性剂,使聚赛吩(polythiophene)添加比例降低仍保有优异的抗静电性,并具有防污拨水效果,且能紧密地与聚合物膜接着。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种包括聚赛吩(polythiophene)、水性连结剂及界面活性剂适合聚合物膜运用的涂布液,特别是在偏光片(板)用的表面保护膜。

本发明的另一目的在于提供一种有防污抗静电涂布的聚合物膜。

本发明的再一目的在于提供一种具有高光透过率的涂布液。

本发明的又一目的在于提供一种具有高防污性及抗静电性,但相对低成本的涂布液。

本发明的又一目的在于提供一种与聚合物膜紧密接着的涂布液。

本发明的又一目的在于提供一种不含有机溶剂的环保型涂布液。

本发明的又一目的在于提供一种具有低摩擦系数的涂布液,可适用于in-line coating加工制程,减轻轴向延伸的表面擦伤。

为实现上述目的,本发明提供的表面有涂布防污拨水抗静电的聚合物膜,包含:

涂布于该膜上的涂布液,此涂布液包含(1)聚赛吩(polythiophene),(2)特殊水性连结剂,含量至少大于1%,(3)界面活性剂;(4)与聚赛吩反应的交联剂。

所述的防污拨水抗静电聚合物膜,其聚赛吩为聚乙烯基二氧赛吩(PEDT,Poly(3,4-ethylene dioxythiophene))。

所述的防污拨水抗静电聚合物膜,其界面活性剂包含氟素界面活性剂。

所述的防污拨水抗静电聚合物膜,其特殊水性连结剂包含树脂、含表面处理剂改质过的填充粒子及添加剂。

所述的防污拨水抗静电聚合物膜,与聚赛吩反应的交联剂包含环氧化物及三聚氰胺化合物。

所述的防污拨水抗静电聚合物膜,包含聚酯高分子。

所述的防污拨水抗静电聚合物膜,其聚赛吩在涂布液中含量为0.05~0.5重量百分比。

所述的防污拨水抗静电聚合物膜,其特殊水性连结剂在涂布液中含量为1~10重量百分比。

所述的防污拨水抗静电聚合物膜,其界面活性剂在涂布液中含量为0.01~0.5重量百分比。

所述的防污拨水抗静电聚合物膜,其涂布液在聚合物膜的涂层厚度为0.001~0.5微米。

所述的防污拨水抗静电聚合物膜,其表面阻抗为108~1010Ω/□。

所述的防污拨水抗静电聚合物膜,其表面水接触角为102°~106°。

所述的防污拨水抗静电聚合物膜,其光透过率为89~92%。

所述的防污拨水抗静电聚合物膜,其中树脂包含下列组成的两种或三种成分的组合:

a.含有20-50wt%的聚酯树脂;

b.含有10-40wt%的三聚氰胺树脂或三聚氰胺变性树脂;

c.含有20-60wt%成分的压克力树脂。

所述的防污拨水抗静电聚合物膜,其中表面处理剂至少一种选自含Silane或高分子聚合物。

所述的防污拨水抗静电聚合物膜,其中添充粒子至少一种选自氧化铝、氧化硅、氧化钛、氧化锆、碳酸钙、硫酸钡的材料。

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