[发明专利]快闪记忆区以及快闪记忆群抹除方法

权利要求书

1.一种快闪记忆区抹除方法，包括施加抹除脉冲、软性程序化确认，以及抹除确认的步骤，其特征在于：

使用一缓慢程序化以及施加一抹除脉冲的方式，修复至少一个快闪记忆区的位元线漏电流现象。

2.根据权利要求1所述的快闪记忆区抹除方法，其特征在于其更包括：

(a)对上述记忆区执行一软性程序化确认；

(b)若一记忆区未能通过该软性程序化确认，则以该缓慢程序化修复该记忆区；

(c)对上述记忆区执行一抹除确认；以及

(d)若一记忆区未能通过该抹除确认，则对该记忆区施加该抹除脉冲，然后回到步骤(a)。

3.根据权利要求2所述的快闪记忆区抹除方法，其特征在于其中步骤(b)更包括：

(b1)对该记忆区执行该缓慢程序化；

(b2)对该记忆区执行一缓慢程序化确认；以及

(b3)若该记忆区未能通过该缓慢程序化确认，则回到步骤(b1)。

4.根据权利要求3所述的快闪记忆区抹除方法，其特征在于其中该缓慢程序化与该缓慢程序化确认执行时的字组线电压大约为1V。

5.一种快闪记忆群抹除方法，其特征在于其包括：

(a)对一快闪记忆群的一第一子集合施加一抹除脉冲；

(b)对该第一子集合执行一软性程序化确认或一严格软性程序化确认；

(c)重复步骤(a)与(b)直到一第一预设条件为真；

(d)对该记忆群的一第二子集合执行一抹除确认；

(e)重复步骤(a)至(d)直到一第二预设条件为真；以及

(f)使用一缓慢程序化以及施加一抹除脉冲的方式，修复该记忆群的一第三子集合的位元线漏电流现象。

6.根据权利要求5所述的快闪记忆群抹除方法，其特征在于其中该第一子集合为该记忆群中无旗号A且无旗号B的所有记忆区，该第二子集合为该记忆群中无旗号B且无旗号C的所有记忆区，该第三子集合为该记忆群中标示有旗号C的所有记忆区，上述的旗号A是用以标示未能通过该软性程序化确认的记忆区，旗号B是用以标示通过该抹除确认的记忆区，旗号C是用以标示已有旗号A而且未能通过该抹除确认的记忆区。

7.根据权利要求6所述的快闪记忆群抹除方法，其特征在于其中在步骤(b)执行的是该软性程序化确认。

8.根据权利要求7所述的快闪记忆群抹除方法，其特征在于其中步骤(b)更包括：

若一记忆区未能通过该软性程序化确认，则以旗号A标示该记忆区。

9.根据权利要求8所述的快闪记忆群抹除方法，其特征在于其中该第一预设条件为已经施加一预设次数的该抹除脉冲，或该记忆群的每一记忆区已标示有旗号A或旗号B。

10.根据权利要求6所述的快闪记忆群抹除方法，其特征在于其中步骤(b)使用一预设初始字组线电压执行该严格软性程序化确认。

11.根据权利要求10所述的快闪记忆群抹除方法，其特征在于其中该预设初始字组线电压大约为3V。

12.根据权利要求10所述的快闪记忆群抹除方法，其特征在于其中步骤(b)更包括：

若一记忆区未能通过该严格软性程序化确认，而且该严格软性程序化确认所使用的该字组线电压大约为0V时，则以旗号A标示该记忆区；

而且步骤(d)更包括：

若一记忆区未能通过该抹除确认，则将该记忆区的该严格软性程序化确认所使用的该字组线电压减少一预设值。

13.根据权利要求12所述的快闪记忆群抹除方法，其特征在于其中该预设值大约为0.5V。

14.根据权利要求12所述的快闪记忆群抹除方法，其特征在于其中该第一预设条件为一记忆区未能通过该严格软性程序化确认。

15.根据权利要求12所述的快闪记忆群抹除方法，其特征在于其中该第一预设条件为一记忆区未能通过该严格软性程序化确认，或该抹除脉冲已被施加一预设次数。

16.根据权利要求6所述的快闪记忆群抹除方法，其特征在于其中步骤(d)更包括：

若一记忆区通过该抹除确认，则以旗号B标示该记忆区；以及

若标示有旗号A的一记忆区未能通过该抹除确认，则以旗号C标示该记忆区。