[发明专利]快闪存储器的制作方法

权利要求书

1.一种快闪存储器的制作方法，包括：

提供基底，该基底上已形成有多个隔离结构，且该隔离结构之间的该基底上已形成有穿隧介电层与浮置栅极；

移除部分该隔离结构，使该隔离结构的表面等于或低于该基底的表面，而形成沟槽；

在该基底上形成衬层；

在该沟槽中形成材料层，该材料层的表面高于该穿隧介电层的表面；

以该材料层为掩模，移除部分该衬层而至少在该穿隧介电层的侧壁上形成间隙壁；

移除该材料层；

在该基底上形成栅间介电层；并且

在该栅间介电层上形成导体层。

2.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其中该衬层的形成方法包括：

进行快速热氧化工艺；并且

进行低压四乙氧基硅烷沉积工艺。

3.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其中该穿隧介电层的形成方法包括热氧化法。

4.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其中该浮置栅极的材料包括掺杂多晶硅。

5.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其中该导体层的材料包括掺杂多晶硅。

6.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其中该栅间介电层的结构是氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层。

7.一种快闪存储器的制作方法，包括：

提供基底，该基底上已形成有多个隔离结构，且该隔离结构之间的该基底上已形成有穿隧介电层与浮置栅极；

移除部分该隔离结构，使该隔离结构的表面高于该基底的表面，而形成沟槽；

在该基底上形成衬层；

移除部分该衬层而在该浮置栅极的侧壁上形成第一间隙壁；

移除部分该第一间隙壁与部分该隔离结构，以至少在该穿隧介电层的侧壁上形成第二间隙壁，并且使该隔离结构的表面等于或低于该基底的表面；

在该基底上形成栅间介电层；并且

在该栅间介电层上形成导体层。

8.如权利要求7所述的快闪存储器的制作方法，其中该衬层的形成方法包括低压四乙氧基硅烷沉积工艺。

9.如权利要求7所述的快闪存储器的制作方法，其中移除部分该第一间隙壁与部分该隔离结构的方法包括各向异性蚀刻工艺。

10.如权利要求7所述的快闪存储器的制作方法，其中该穿隧介电层的形成方法包括热氧化法。

11.如权利要求7所述的快闪存储器的制作方法，其中该浮置栅极的材料包括掺杂多晶硅。

12.如权利要求7所述的快闪存储器的制作方法，其中该导体层的材料包括掺杂多晶硅。

13.如权利要求7所述的快闪存储器的制作方法，其中该栅间介电层的结构是氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层。