[发明专利]浮置栅极与非挥发性存储器的制造方法

权利要求书

1.一种浮置栅极的制造方法，包括

提供基底，该基底中已形成有隔离结构，且该隔离结构的顶面高于该基底顶面；

在该基底上形成掩模层，覆盖住该隔离结构；

在该基底与该掩模层中形成沟槽；

在该沟槽中形成导体层，该导体层的顶面低于该隔离结构顶面、高于该基底顶面，且该导体层表面具有凹陷；

在该导体层上的该沟槽侧壁形成间隙壁；并且

以该间隙壁为掩模，移除部分该导体层，在该沟槽侧壁形成浮置栅极。

2.如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，其中该导体层顶部接近该沟槽两侧壁分别具有尖角状构造。

3.如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，其中该导体层的形成方法包括：

在该基底上形成导体材料层；并且

回蚀刻该导体材料层。

4.如权利要求3所述的浮置栅极的制造方法，其中回蚀刻该导体材料层的步骤还包括：

以该掩模层为蚀刻终止层，回蚀刻该导体材料层；并且

以该隔离结构为蚀刻终止层，回蚀刻该导体材料层。

5.如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，其中该间隙壁的形成方法包括：

在该基底上形成间隙壁材料层；并且

移除部分该间隙壁材料层，以在该导体层上的该沟槽侧壁形成该间隙壁。

6.如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，其中该导体层的材料包括掺杂多晶硅。

7.如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，还包括在形成该沟槽之后、且在形成该导体层之前，在该沟槽内壁形成穿隧介电层。

8.一种非挥发性存储器的制造方法，包括：

提供基底，该基底中已形成有多个隔离结构，该隔离结构定义出多个有源区，且该隔离结构的顶面高于该有源区的该基底顶面；

在该基底上形成掩模层，覆盖住该隔离结构；

在该基底与该掩模层中形成多个沟槽；

在该基底上形成共形的第一导体层，填满各该沟槽；

回蚀刻该第一导体层，使该第一导体层的顶面低于该隔离结构顶面、高于该基底顶面，且在各该沟槽中的该第一导体层表面形成凹陷；

在该第一导体层上的该沟槽侧壁形成间隙壁；

以该间隙壁为掩模，移除部分该导体层，在该沟槽侧壁形成浮置栅极；

移除该掩模层；并且

在各该沟槽外侧的该基底上形成控制栅极。

9.如权利要求8所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该导体层顶部接近该沟槽两侧壁分别具有尖角状构造。

10.如权利要求8所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该控制栅极的顶面高于该浮置栅极的顶面。

11.如权利要求8所述的非挥发性存储器的制造方法，其中回蚀刻该第一导体层的步骤还包括：

以该掩模层为蚀刻终止层，回蚀刻该第一导体层；并且

以该隔离结构为蚀刻终止层，回蚀刻该第一导体层。

12.如权利要求8所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该间隙壁的形成方法包括：

在该基底上形成间隙壁材料层；并且

移除部分该间隙壁材料层，以在该沟槽侧壁形成该间隙壁。

13.如权利要求8所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该导体层的材料包括掺杂多晶硅。

14.如权利要求8所述的非挥发性存储器的制造方法，还包括在形成该浮置栅极之后，在各该沟槽底部的该基底中形成源极区。

15.如权利要求14所述的非挥发性存储器的制造方法，还包括在形成该源极区之后，在各该沟槽中形成第二导体层，该第二导体层覆盖住该隔离结构，且与该源极区电连接。

16.如权利要求15所述的非挥发性存储器的制造方法，还包括在形成该浮置栅极之后、形成该源极区之前，在各该沟槽中形成介电层，覆盖住该浮置栅极。

17.如权利要求16所述的非挥发性存储器的制造方法，还包括在形成该介电层的步骤之后、形成该源极区之前，在该介电层上形成保护层。

18.如权利要求17所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该保护层的材料包括未掺杂多晶硅。