[发明专利]快闪存储器的制作方法

权利要求书

1.一种快闪存储器的制作方法，包括：

提供基底，该基底上已形成有多个隔离结构，且该隔离结构之间的该基底上已形成有穿隧介电层与浮置栅极；

移除部分该隔离结构以暴露出该浮置栅极；

在该浮置栅极的侧壁上形成第一间隙壁；

在该第一间隙壁上形成第二间隙壁；

移除部分该第一间隙壁、部分该第二间隙壁与部分该隔离结构，以在该穿隧介电层的侧壁上形成第三间隙壁，并且将该隔离结构移除至预定的深度；

在该基底上形成栅间介电层；并且

在该栅间介电层上形成导体层。

2.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其中该第一间隙壁的材料与该第二间隙壁的材料相同。

3.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其中该第一间隙壁的材料与该第二间隙壁的材料不同。

4.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其中该穿隧介电层的形成方法包括热氧化法。

5.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其中该浮置栅极的材料包括掺杂多晶硅。

6.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其中该导体层的材料包括掺杂多晶硅。

7.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其中该栅间介电层的材料包括氧化硅/氮化硅/氧化硅。

8.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其中所述隔离结构的材料包括高密度等离子氧化物。

9.一种快闪存储器的制作方法，包括：

提供基底，该基底上已形成有多个隔离结构，且该隔离结构之间的该基底上已形成有穿隧介电层与浮置栅极；

移除部分该隔离结构以暴露出该浮置栅极；

在该浮置栅极之侧壁上形成第一间隙壁；

在该隔离结构上形成材料层，该材料层的蚀刻速率与该第一间隙壁的蚀刻速率不同；

移除该材料层、部分该第一间隙壁与部分该隔离结构，以在该穿隧介电层的侧壁上形成第二间隙壁，并且使该隔离结构的表面低于或等于该基底的表面；

在该基底上形成栅间介电层；并且

在该栅间介电层上形成导体层，

其中该材料层的蚀刻速率大于该第一间隙壁的蚀刻速率，且该第一间隙壁的蚀刻速率大于该隔离结构的蚀刻速率。

10.如权利要求9所述的快闪存储器的制作方法，其中该第一间隙壁的材料包括以四乙氧基硅烷形成的氧化物。

11.如权利要求9所述的快闪存储器的制作方法，其中该材料层的材料包括硼磷硅玻璃或未掺杂玻璃。

12.如权利要求9所述的快闪存储器的制作方法，其中该穿隧介电层的形成方法包括热氧化法。

13.如权利要求9所述的快闪存储器的制作方法，其中该浮置栅极的材料包括掺杂多晶硅。

14.如权利要求9所述的快闪存储器的制作方法，其中该导体层的材料包括掺杂多晶硅。

15.如权利要求9所述的快闪存储器的制作方法，其中该栅间介电层的材料包括氧化硅/氮化硅/氧化硅。

16.如权利要求9所述的快闪存储器的制作方法，其中该隔离结构的材料包括高密度等离子氧化物。