[发明专利]隔离结构的制造方法

权利要求书

1.一种隔离结构的制造方法，包括：

提供基底，该基底包括图案稀疏区与图案密集区，且该基底上已形成有硬掩模层；

在该硬掩模层与该基底中形成多个沟槽，其中，该图案密集区中的该沟槽的图案密度高于该图案稀疏区中的该沟槽的图案密度；

在该基底上形成介电层，该介电层填满该沟槽且覆盖住该基底，该介电层在该图案稀疏区上形成有凹陷；

在该基底上形成掩模层，填满该凹陷；

以该掩模层为掩模，移除部分该介电层；

移除该掩模层；

以该硬掩模层为终止层，移除部分该介电层，以形成多个隔离结构。

2.如权利要求1所述的隔离结构的制造方法，其中该掩模层的形成方法包括旋转涂布法。

3.如权利要求1所述的隔离结构的制造方法，其中该掩模层包括光致抗蚀剂层。

4.如权利要求1所述的隔离结构的制造方法，其中该掩模层的形成方法包括：

以旋转涂布法在该基底上形成掩模材料层，该掩模材料层覆盖住该基底且填满该凹陷；并且

回蚀刻该掩模材料层，留下位于该凹陷中的该掩模材料层。

5.如权利要求1所述的隔离结构的制造方法，其中该掩模层的材料包括旋涂式介电材料。

6.如权利要求1所述的隔离结构的制造方法，其中以该掩模层为掩模，移除部分该介电层的方法包括回蚀刻法。

7.如权利要求1所述的隔离结构的制造方法，其中移除部分该介电层，形成该隔离结构的方法包括化学机械研磨工艺。

8.如权利要求1所述的隔离结构的制造方法，其中该介电层的形成方法包括高密度等离子化学气相沉积法。

9.如权利要求1所述的隔离结构的制造方法，其中该图案稀疏区为周边电路区，该图案密集区为存储单元区。

10.如权利要求1所述的隔离结构的制造方法，其中该硬掩模层的材料包括氮化硅。

11.如权利要求1所述的隔离结构的制造方法，其中该介电层的材料包括氧化硅。

12.一种隔离结构的制造方法，包括：

提供基底，该基底包括图案稀疏区与图案密集区；

在该基底上形成硬掩模层；

在该硬掩模层与该基底中形成多个沟槽；

在该基底上形成介电层，该介电层填满该沟槽且覆盖住该基底，且该介电层在该图案稀疏区上形成凹陷；

在该基底上形成光致抗蚀剂层，填满该凹陷；

以该光致抗蚀剂层为掩模，回蚀刻部分该介电层；

移除该光致抗蚀剂层；

以该硬掩模层为终止层，平坦化该介电层，以形成多个隔离结构

13.如权利要求12所述的隔离结构的制造方法，其中该光致抗蚀剂层的形成方法包括旋转涂布法。

14.如权利要求12所述的隔离结构的制造方法，其中该光致抗蚀剂层的形成方法包括：

以旋转涂布法在该基底上形成光致抗蚀剂材料层，光致抗蚀剂材料层覆盖住该基底，且填满该凹陷；并且

回蚀刻该光致抗蚀剂材料层，留下位于该凹陷中的该光致抗蚀剂材料层。

15.如权利要求12所述的隔离结构的制造方法，其中以该光致抗蚀剂层为掩模，移除部分该介电层的方法包括回蚀刻法。

16.如权利要求12所述的隔离结构的制造方法，其中平坦化该介电层的方法包括化学机械研磨工艺。

17.如权利要求12所述的隔离结构的制造方法，其中该介电层的形成方法包括高密度等离子化学气相沉积法。

18.如权利要求12所述的隔离结构的制造方法，其中该图案稀疏区为周边电路区，该图案密集区为存储单元区。

19.如权利要求12所述的隔离结构的制造方法，其中该硬掩模层的材料包括氮化硅。

20.如权利要求12所述的隔离结构的制造方法，其中该介电层的材料包括氧化硅。