[发明专利]κ－(BEDT－TTF)2Cu(SCN)2纳米棒阵列及其制备方法与应用无效
| 申请号： | 200610112556.5 | 申请日： | 2006-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101130427A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 黄长水;刘辉彪;李玉良;朱道本 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;C25D9/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | bedt ttf sub cu scn 纳米 阵列 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.κ-(BEDT-TTF)2Cu(SCN)2纳米棒阵列。
2.根据权利要求1所述的纳米棒阵列，其特征在于：所述阵列中纳米棒直径为50-1000nm，长度为1-10微米。
3.权利要求1所述纳米棒阵列的制备方法，包括如下步骤：
1)配制电解液：将BEDT-TTF、CuSCN、18-冠-6、KSCN溶解于1，1，2-三氯乙烷中，作为电解液；
2)电解：以导电基片作为电解电极进行恒电流电解，在导电基片上得到所述κ-(BEDT-TTF)2Cu(SCN)2纳米棒阵列。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述电解液中BEDT-TTF的浓度可选为0.1-1mg/ml，CuSCN的浓度为0.5-2mg/ml，18-冠-6的浓度为0.5-5mg/ml，KSCN的浓度为1-5mg/ml。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述导电基片为铂片或ITO导电玻璃。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：电解的电流密度为100-200μA/cm2。
7.权利要求1所述κ-(BEDT-TTF)2Cu(SCN)2纳米棒阵列在制备场效应晶体管、场发射材料、超导材料、太阳能电池、电开关、传感器、储氢材料、抗铁磁性材料、铁磁性材料上的应用。
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