[发明专利]κ－(BEDT－TTF)2Cu(SCN)2纳米棒阵列及其制备方法与应用

说明书

技术领域

本发明涉及纳米材料及其制备方法与应用，特别是涉及κ-(BEDT-TTF)₂Cu(SCN)₂这类基BEDT-TTF的有机电荷转移盐纳米棒阵列及其制备方法与应用。

背景技术

基于bis(ethylenedithio)tetrathiafulvalene(BEDT-TTF)的电荷转移型金属有机复合物，是一类广受关注的有机功能材料，其本身有许多独特的物理化学性质。自1978年Mizunor等首先制备得到BEDT-TTF及其复合盐(BEDT-TTF)TCNQ以来(M.Mizuno，A.F.Garito，M.P.Cava，J.C.S.Chem.Comm.1978，18)，有关BEDT-TTF的电荷转移型有机复合盐的超导性、抗铁磁性、铁磁性等的研究结果不断见诸报道([1]J.M.Williams，H.H.Wang，T.J.Emge，U.Geiser，M.A Beno，K.D.Carlson，R.J.Thorn，A.J.Schultz，M.-H.Whangbo，frog.Inorg.Chem.1981，35，51；[2]Peter C.W.Leung，Thomas J.Emge，Mark A.Beno，Hau H.Wang，Jack M.Williams，Vaclav Petricek，Philip Coppens J.Am.Chem.Soc.1985，107，6184.[3]AravindaM.Kini，Urs Geiser，Hau H.Wang，K.Douglas Carlson，Jack M.Williams，W.K.Kwok，K.G.Vandervoort，James E.Thompson，Daniel L.Stupka，et al.Inorg.Chem.1990，29，2555；[4]M.Kurmoo，A.W.Graham，P.Day，S.J.Coles，M.B.Hursthouse，J.M.Caulfield，J.Singleton，L.Ducasse，P.Guionneau，J.Am.Chem.Soc.1995，117，12209；[5]L.L.Martin，S.S.Turner，P.Day，P.Guionneau，J.A.K.Howard，D.E.Hibbs，M.E.Light，M.B.Hursthouse，M.Uruichi，K.Yakushi，Inorg.Chem 2001，40，1363)，引起人们极大的兴趣。

尽管目前有许多制备这类有机电荷转移复合盐的方法([1]J.K.Jeszka，J.Ulanski and M.Kryszewski，Nature，1981，298，390；K.Kawabata，K.Tanaka andM.Mizitani，Solid.State.Commun.1990，74，83；[2]D.Schweitzer，P.Bele，H.Brunner，E.Gogu，U.Haeberlen，I.Henning，T.Klutz，R.Swietlik and H.J.Keller，Z.Phys.B-Condensed Matter，1987，67，489；[3]J.P.Farges，A.Brau and P.Dupuis，Solid.State.Commun.1985，54，531；[4]J.P.Farges，A.Brau and F.Alisahroui，Mol.Cryst.Liq.Cryst，1990，186，143；[5]J.P.Farges，and A.Brau，in“Handbookof Advanced Electronic and Photonic Materials and Devices”edited byH.S.Nalwa(Academic Press，San Diego，2001)p.329；[6]P.Batail，K.Boubekeur，M.Fourmigue，J.-C.P.Gabriel，Chem.Mater.(Review)，1998，10，3005)，但很少能得到具有规则形状的纳米尺寸材料。

发明内容

本发明的目的是提供一种κ-(BEDT-TTF)₂Cu(SCN)₂纳米棒阵列及其制备方法。

本发明提供了一种具有良好场发射性能的κ-(BEDT-TTF)₂Cu(SCN)₂纳米棒阵列。

在本发明的阵列中纳米棒直径为50-1000nm，长度为1-10微米。