[发明专利]真空获得系统有效
申请号: | 200610112748.6 | 申请日: | 2006-08-31 |
公开(公告)号: | CN101136308A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 南建辉;宋巧丽 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;G05B9/05;G05D16/00 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵镇勇;王连军 |
地址: | 100016北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 获得 系统 | ||
技术领域
本发明涉及一种真空获得系统,尤其涉及一种带有保护装置的真空获得系统。
背景技术
在微电子技术领域,尤其在半导体技术领域,大部分工艺常常需要在高真空的反应室中进行。
目前大多数的高真空获得设备都使用磁悬浮分子泵,但是由于磁悬浮分子泵工作在高真空环境下,因此如果分子泵在正常运行过程中,其出口压力或入口压力超过一定的范围都会造成分子泵的磁悬浮轴承的偏移或破坏。
目前常用的高真空获得系统如图1所示,当分子泵4启动之前,先打开旁抽阀3抽反应室1真空,抽到反应室1压力小于分子泵4启动入口压力要求时,关闭旁抽阀3,开启分子泵排出阀5、摆阀2,然后再开启分子泵4;当反应室1正常工艺或维护时,如果反应室1压力比较高时,先打开旁抽阀3对反应室1粗抽,当反应室1压力达到分子泵4入口压力要求时,再关闭旁抽阀3并依次开启分子泵排出阀5、摆阀2。
上述系统的缺点是:如果反应室1正在进行工艺,摆阀2、分子泵排出阀5都开启,反应室1由于某种原因,突然暴露大气,或者是压力突然增大,分子泵4入口压力远远超出所要求的压力,此时就可能造成分子泵4损坏;如果反应室1正在进行工艺,摆阀2、分子泵排出阀5都开启,由于某种原因,比如真空泵7报警停止,分子泵4出口管道突然暴露大气或者压力突然增大,分子泵4出口压力远远超出要求,此时就可能造成分子泵4损坏。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种带有保护装置的真空获得系统,该真空获得系统在系统出现故障时,能自动关闭分子泵入口阀或排出阀,保护分子泵不受损坏。
针对上述技术问题,本发明是通过以下技术方案实现的:
本发明的真空获得系统,包括反应室、分子泵和真空泵,所述分子泵的入口通过入口阀与反应室连接,所述分子泵的出口通过排出阀与真空泵连接,在所述排出阀和真空泵之间的出口管路与反应室之间连接有安装旁抽阀的旁抽管路,其特征在于,所述真空获得系统还包括分子泵保护装置,该分子泵保护装置根据对系统故障的检测而产生报警信号来控制关闭分子泵的入口阀和/或排出阀。
所述分子泵保护装置包括:
分子泵入口侧报警装置,其检测分子泵入口压力,当分子泵入口压力超过设定值时输出报警信号;
分子泵出口侧报警装置,其检测分子泵出口压力,当分子泵出口压力超过设定值时输出报警信号;
分子泵保护控制装置,接收到来自分子泵入口侧报警装置的报警信号时,关闭分子泵的入口阀;接收到来自分子泵出口侧报警装置的报警信号时,关闭分子泵的排出阀。
所述的分子泵保护装置还包括:
系统报警装置:检测系统中各设备工作情况,当设备工作异常时输出报警信号,由分子泵保护控制装置接收系统报警装置的报警信号,关闭分子泵的入口阀和/或排出阀。
所述系统报警装置包括:
真空泵报警装置:检测所述真空泵的工作状况,当真空泵发生故障时向所述分子泵保护控制装置发出报警信号,分子泵保护控制装置接收报警信号,关闭分子泵的排出阀。
所述分子泵保护控制装置包括互锁电路,互锁电路与分子泵的入口阀和/或排出阀电连接,当分子泵保护控制装置接收到报警信号时,互锁电路自动控制分子泵的入口阀和/或排出阀关闭。
所述互锁电路包括多个报警输入端,及与多个报警输入端相配设置的与非逻辑电路,互锁电路通过与非逻辑电路控制分子泵的入口阀和/或排出阀关闭。
所述与非逻辑电路包括与多个报警输入端相配设置的多个接触器,多个接触器串联连接。
所述的分子泵保护控制装置还包括串接在所述互锁电路中的互锁屏蔽电路,该互锁屏蔽电路中包括屏蔽接触器,该屏蔽接触器吸合时,可使互锁电路与入口阀和/或排出阀间的电连接断开,并由控制信号单独控制入口阀和/或排出阀打开或关闭。
所述分子泵入口阀为摆阀,所述分子泵入口侧报警装置为第一真空开关,第一真空开关与所述反应室相连接,并且检测反应室内压力。
所述分子泵出口侧报警装置为第二真空开关,第二真空开关与所述排出阀与真空泵之间的出口管路相连接,并且检测出口管路内压力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造