[发明专利]晶片处理室的内衬及包含该内衬的晶片处理室有效
| 申请号： | 200610113918.2 | 申请日： | 2006-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101165868A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 林盛 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 处理 内衬 包含 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片处理室的内衬，包括内侧壁、外侧壁，内侧壁与外侧壁通过屏蔽板连接，外侧壁的上边缘连接有法兰，其特征在于，所述的侧壁的边缘连接有延伸部分。
2.根据权利要求1所述的晶片处理室的内衬，其特征在于，所述的延伸部分包括外侧壁的上边缘向上延伸的部分。
3.根据权利要求2所述的晶片处理室的内衬，其特征在于，所述外侧壁的上边缘向上延伸的部分位于法兰的上表面以上。
4.根据权利要求1所述的晶片处理室的内衬，其特征在于，所述的延伸部分包括外侧壁的下边缘向下延伸的部分。
5.根据权利要求1所述的晶片处理室的内衬，其特征在于，所述的延伸部分包括内侧壁的下边缘向下延伸的部分。
6.根据权利要求4或5所述的晶片处理室的内衬，其特征在于，所述的外侧壁和/或内侧壁的下边缘向下延伸的部分位于屏蔽板以下。
7.根据权利要求1所述的晶片处理室的内衬，其特征在于，所述的延伸部分沿侧壁的延伸方向与侧壁连接。
8.根据权利要求1所述的晶片处理室的内衬，其特征在于，所述的延伸部分沿侧壁的延伸方向向内或向外侧倾斜并与侧壁连接。
9.根据权利要求1所述的晶片处理室的内衬，其特征在于，所述的延伸部分与侧壁的延伸方向垂直并与侧壁连接。
10.一种晶片处理室，其特征在于，所述晶片处理室内设有上述晶片处理室的内衬。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
