[发明专利]晶片处理室的内衬及包含该内衬的晶片处理室

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体加工设备部件，尤其涉及一种晶片处理室及其内衬。

背景技术

在半导体制造中，等离子体对晶片的刻蚀通常在处理室内进行。等离子体刻蚀的一个问题是：当许多晶片在处理室内刻蚀时，经过一段时间，在处理室的壁上会生成薄膜。这种薄膜累积物可造成两个方面问题：第一，薄膜可使壁面剥落并把颗粒渗入到处理室内。由于集成电路装置的器件尺寸继续减小，处理过程中这种颗粒存在会增加晶片的废片率。第二，薄膜可改变射频接地路径并因此影响所获得的晶片。

为了避免上述情况的发生，必须定期对处理室进行湿式清洁操作，以擦净处理室的壁面以除去薄膜累积物。但是，由于它需要离线处理模式，因而降低了产量。

因此，为了避免离线处理而影响产量。目前，如图1所示，处理室一般采用内衬的结构来保护处理室的壁面。处理室上方设有石英窗，石英窗上设有的喷嘴采用喇叭形结构，石英窗与处理室壁之间设有调整支架，内衬覆盖在处理室内部表面防止刻蚀生产物污染等离子处理室；晶片座吸附晶片，起着固定晶片的作用；内衬的应用可以在薄膜累积物出现在壁面上时在最短停工时间内容易地被替换和清洗，从而保证了处理室的连续有效的生产。

如图2所示，是现有的半导体晶片处理室的内衬的结构示意图，内衬包括含有多个孔隙的屏蔽板4，屏蔽板4的上部是反应腔室，下部是抽气腔室。外侧壁2从屏蔽板4向上延伸。法兰1从外侧壁2向外延伸，使得法兰1延伸至处理室壁外并伸入大气压力下的空间。还含有从屏蔽板4向上延伸的内侧壁3。

尽管该内衬能够有效保护处理室内壁及晶片座侧面，减少薄膜累积物的生成，进而减少颗粒污染，但是，这种内衬结构保护的范围过窄，只能对屏蔽板4以上的反应腔室进行保护，无法有效的保护石英窗以下的调整支架以及屏蔽板以下的抽气腔室，无法最大程度的避免颗粒的产生，从而造成晶片上的污染。

发明内容

本发明的目的是提供一种能对处理室进行更大范围保护的晶片处理室的内衬，及包含该内衬的晶片处理室。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明的晶片处理室的内衬，包括内侧壁、外侧壁，内侧壁与外侧壁通过屏蔽板连接，外侧壁的上边缘连接有法兰，所述的侧壁的边缘连接有延伸部分。

所述的延伸部分包括外侧壁的上边缘向上延伸的部分。

所述外侧壁的上边缘向上延伸的部分位于法兰的上表面以上。

所述的延伸部分包括外侧壁的下边缘向下延伸的部分。

所述的延伸部分包括内侧壁的下边缘向下延伸的部分。

所述的外侧壁和/或内侧壁的下边缘向下延伸的部分位于屏蔽板以下。

所述的延伸部分沿侧壁的延伸方向与侧壁连接。

所述的延伸部分沿侧壁的延伸方向向内或向外侧倾斜并与侧壁连接。

所述的延伸部分与侧壁的延伸方向垂直并与侧壁连接。

本发明的晶片处理室，所述晶片处理室内设有上述晶片处理室的内衬。

由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的晶片处理室的内衬及包含该内衬的晶片处理室，由于侧壁的边缘连接有延伸部分，可以扩大对处理室的保护，减少停机清洗时间，提高生产率。

由于延伸部分包括外侧壁的上边缘向上延伸的部分，可以实现对调整支架的保护；还包括外侧壁的下边缘向下延伸的部分，可以扩大对处理室壁的保护；还包括内侧壁的下边缘向下延伸的部分，可以扩大对晶片座侧面的保护。

主要适用于对半导体晶片处理室的保护，也适用于对其它类似腔室的保护。

附图说明

图1为现有技术中晶片处理室的结构示意图；

图2为现有技术晶片处理室的内衬；

图3为本发明晶片处理室的内衬。

具体实施方式

本发明晶片处理室的内衬较佳的具体实施方式如图3所示，包括内侧壁3、外侧壁2，内侧壁3与外侧壁2通过屏蔽板4连接，外侧壁2的上边缘连接有法兰1，所述的侧壁的边缘连接有延伸部分。

延伸部分包括外侧壁2的上边缘向上延伸的部分5，位于法兰1的上表面以上，用于保护石英窗下部的调整支架。该部分最好向上延伸至石英窗，对调整支架的保护较为充分。

延伸部分还包括外侧壁2的下边缘向下延伸的部分6，位于屏蔽板4以下，用于保护抽气腔室的处理室壁。

延伸部分还包括内侧壁3的下边缘向下延伸的部分7，位于屏蔽板4以下，用于保护抽气腔室的晶片座侧面。

以上三个延伸部分5、6、7，可以沿侧壁的延伸方向延伸并与侧壁连接，也可以沿侧壁的延伸方向向内或向外倾斜并与侧壁连接，也可以与侧壁的延伸方向垂直并与侧壁连接。