[发明专利]采用非均匀栅氧化层的高压晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种采用非均匀栅氧化层的高压晶体管，由源极、高压阱、扩散漏并联，并在所述并联区域上表面两端各有一个氮化硅侧墙，所述两侧墙之间夹有上下两层栅极层，上层为多晶硅，下层为氧化层，其特征在于：所述氧化层为非均匀氧化层。

2.根据权利要求1所述的采用非均匀栅氧化层的高压晶体管，其特征在于：所述非均匀氧化层在所述多晶硅与所述扩散漏交叠区域的厚度较其他沟道区的氧化层厚100埃。

3.一种制造权利要求1所述的采用非均匀栅氧化层的高压晶体管的制造方法，其特征在于，包含如下步骤：

a.在硅衬底表面进行高压阱和扩散源离子注入；

b.第一次生长氧化硅层和淀积氮化硅层；

c.在需要加厚栅氧化层的区域进行光刻和刻蚀形成氮化硅窗口；

d.第二次生长氧化硅，在沟道形成氧化层台阶；

e.去除氮化硅；

f.第三次生长氧化硅；

g.淀积多晶硅栅极；

h.栅极的光刻与刻蚀；

i.低掺杂源漏离子注入形成源极；

j.氮化硅侧墙的淀积与刻蚀；

k.源漏离子注入形成源极；

l.制作难熔金属硅化物，淀积金属化前的介质层，刻出接触孔；

m.淀积金属层，刻蚀，完成互连。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于：所述第一次生长的氧化硅层厚度为100埃。

5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于：所述第一次淀积的氮化硅层厚度为500埃。

6.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于：所述第二次生长的氧化硅层厚度为100埃。

7.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于：所述第三次生长的氧化硅层厚度为500～1000埃。