[发明专利]电可擦可编程只读存储器的制造工艺方法有效
| 申请号： | 200610117250.9 | 申请日： | 2006-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101165861A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;陈晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电可擦 可编程 只读存储器 制造 工艺 方法 | ||
1.一种电可擦可编程只读存储器的制造工艺方法，包括如下步骤：在硅衬底上进行轻掺杂离子注入，分别形成源区和漏区；在所述硅衬底、源区和漏区上形成栅极氧化物层；在该栅极氧化物层上涂覆光刻胶，然后进行光刻，形成位于漏区上方的隧道窗口；其特征在于：通过所述隧道窗口对漏区进行低能量、高掺杂离子注入；去除光刻胶；在所述隧道窗口内形成隧道氧化物层。
2.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器的制造工艺方法，其特征在于，所述离子注入的能量为小于100Kev。
3.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器的制造工艺方法，其特征在于，所述光刻胶的厚度为，在进行离子注入时使其完全无法穿通所覆盖区域。
4.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器的制造工艺方法，其特征在于，所述隧道窗口直达漏区表面。
5.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器的制造工艺方法，其特征在于，所述形成隧道氧化物层的方法为化学气相沉积或热氧化。
6.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器的制造工艺方法，其特征在于，还包括如下步骤：在所述栅极氧化物层和隧道氧化物层上淀积多晶硅层并对其进行刻蚀，形成控制栅极；在该控制栅极上形成介电层，在所述介电层上淀积多晶硅层并对其进行刻蚀，形成悬浮栅极；所述控制栅极和悬浮栅极构成叠层栅极结构；在所述叠层栅极结构的两侧形成侧墙结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
