[发明专利]CMOS器件应力膜的形成方法有效
| 申请号： | 200610118829.7 | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101192573A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;吴汉明;马擎天 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 器件 应力 形成 方法 | ||
1.一种形成CMOS器件应力膜的方法，所述CMOS器件包括PMOS晶体管和NMOS晶体管，所述方法包括下列步骤：
形成第一应力膜，所述第一应力膜覆盖所述NMOS晶体管和PMOS晶体管；
在所述PMOS晶体管和NMOS晶体管之间的第一应力膜表面形成介质层；
形成仅覆盖所述NMOS晶体管的第一掩膜图形；
刻蚀所述PMOS晶体管上的第一应力膜和介质层，并移除所述第一掩膜图形；
沉积第二应力膜材料，所述第二应力膜材料表面与所述第一应力膜表面齐平；
形成第二掩膜图形；
刻蚀所述第二应力膜材料至与所述第一应力膜表面齐平；
移除所述第二掩膜图形和剩余的介质层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二掩膜图形覆盖所述NMOS晶体管上的第一应力膜和所述PMOS晶体管上的第二应力膜材料表面。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述第一应力膜和所述第二应力膜材料表面的第二掩膜图形的宽度相同。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一掩膜图形仅覆盖所述NMOS晶体管上的第一应力膜和介质层表面。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一应力膜和第二应力膜的材料为氮化硅。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述介质层的材料为富硅聚合物。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述第一应力膜为具有拉伸应力的应力膜，所述第二应力膜为具有压缩应力的应力膜。
8.一种形成CMOS器件应力膜的方法，所述CMOS器件包括PMOS晶体管和NMOS晶体管，所述方法包括下列步骤：
形成第一应力膜，所述第一应力膜覆盖所述NMOS晶体管和PMOS晶体管；
在所述PMOS晶体管和NMOS晶体管之间的第一应力膜表面形成介质层；
形成仅覆盖所述PMOS晶体管的第一掩膜图形；
刻蚀所述NMOS晶体管上的第一应力膜和介质层，并移除所述第一掩膜图形；
沉积第二应力膜材料，所述第二应力膜材料表面与所述第一应力膜表面齐平；
形成第二掩膜图形；
刻蚀所述第二应力膜材料至与所述第一应力膜齐平；
移除所述第二掩膜图形和剩余的介质层。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于：所述第二掩膜图形覆盖所述PMOS晶体管上的第一应力膜和所述NMOS晶体管上的第二应力膜材料表面。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：所述第一应力膜和所述第二应力膜材料表面的第二掩膜图形的宽度相同。
11.如权利要求8所述的方法，其特征在于：所述第一掩膜图形仅覆盖所述PMOS晶体管上的第一应力膜和介质层表面。
12.如权利要求8所述的方法，其特征在于：所述第一应力膜为具有压缩应力的应力膜，所述第二应力膜为具有拉伸应力的应力膜。
13.如权利要求8所述的方法，其特征在于：所述介质层的材料为富硅聚合物。
14.如权利要求12所述的方法，其特征在于：所述第一应力膜和第二应力膜的材料为氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
