[发明专利]多晶硅自对准插塞的制作方法有效
| 申请号： | 200610118831.4 | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101192561A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 周维 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 对准 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅自对准插塞的制作方法，包括步骤：
提供衬底，所述衬底上至少包括一栅极结构和层间介电层，且在所述层间介电层上开有接触开口；
在所述衬底上沉积多晶硅层；
利用化学机械研磨方法将所述多晶硅层研磨至所述层间介电层的表面；
利用刻蚀方法将研磨后的所述多晶硅层刻蚀至所述栅极结构的顶部。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述多晶硅层厚度在2000至4000之间。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：研磨后的所述多晶硅层厚度在500至1000之间。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：研磨后的所述多晶硅层与所述层间介电层间的高度差值在-200到+200之间。
5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述刻蚀方法是干法刻蚀方法或湿法腐蚀方法。
6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述多晶硅层由低压化学气相沉积方法形成。
7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述栅极结构包括栅极和复合保护层。
8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于：所述复合保护层的外层是氮化硅层。
9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述层间介电层为未掺杂的氧化硅、掺磷的氧化硅、掺硼的氧化硅或掺磷硼的氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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