[发明专利]金属氧化物半导体器件栅极的制造方法有效
| 申请号： | 200610118838.6 | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101192525A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;马擎天;陈海华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体器件 栅极 制造 方法 | ||
1.一种金属氧化物半导体器件栅极的制造方法，包括：
在一半导体基底上形成多晶硅层；
在所述多晶硅层上形成覆盖层；
对所述多晶硅层进行掺杂并退火；
在所述覆盖层上旋涂光刻胶层，并图形化形成栅极图案；
刻蚀未被所述栅极图案覆盖的覆盖层和多晶硅层。
2.如权利要求1所述的金属氧化物半导体器件栅极的制造方法，其特征在于：所述覆盖层为氮化硅、碳化硅、无定型碳、氮氧硅化合物中的一种或其组合。
3.如权利要求2所述的金属氧化物半导体器件栅极的制造方法，其特征在于：形成所述覆盖层的方法为化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积中的一种。
4.如权利要求1所述的金属氧化物半导体器件栅极的制造方法，其特征在于，对所述多晶硅层进行掺杂的步骤如下：
在所述覆盖层上旋涂光致抗蚀剂，并通过图形化形成开口；
透过所述开口和所述覆盖层对所述多晶硅层进行离子注入；
去除所述光致抗蚀剂。
5.如权利要求4所述的金属氧化物半导体器件栅极的制造方法，其特征在于：对所述多晶硅层进行N型杂质离子注入。
6.如权利要求5所述的金属氧化物半导体器件栅极的制造方法，其特征在于：所述N型杂质离子为磷、砷、锑中的一种。
7.如权利要求4所述的金属氧化物半导体器件栅极的制造方法，其特征在于：所述离子注入的剂量为1×1013至1018cm-3。
8.如权利要求4所述的金属氧化物半导体器件栅极的制造方法，其特征在于：所述离子注入的能量为：10KeV至100Kev。
9.如权利要求4所述的金属氧化物半导体器件栅极的制造方法，其特征在于：去除所述光致抗蚀剂的方法为氧气等离子体灰化。
10.如权利要求1所述的金属氧化物半导体器件栅极的制造方法，其特征在于：对所述对晶硅层掺杂后进行500至1500度的快速热退火。
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