[发明专利]用于自对准蚀刻的系统和方法

权利要求书

1.一种用于执行自对准源蚀刻工艺的方法，包括：

提供基片材料；

形成覆盖至少部分所述基片材料的可蚀刻氧化物材料层，所述可蚀刻氧化物材料层的特征在于第一厚度，所述可蚀刻氧化物材料层包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第二部分位于所述第一部分和所述第三部分之间；

形成覆盖所述可蚀刻氧化物材料层的多个结构，所述多个结构包括第一结构和第二结构，所述第一结构包括第一侧壁，且位于所述第一部分以上，所述第二结构包括第二侧壁，且位于所述第三部分以上，所述第一侧壁面对所述第二侧壁；

形成覆盖所述多个结构的多个光致抗蚀剂层，所述多个光致抗蚀剂层包括覆盖所述第一结构的第一光致抗蚀剂层和覆盖所述第二结构的第二光致抗蚀剂层；

以第一深度执行第一干法蚀刻工艺，形成覆盖所述第一侧壁的第一聚合物层和覆盖所述第二侧壁的第二聚合物层，除去至少所述第二部分的第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；

以第二深度执行第二干法蚀刻工艺，所述第二深度大于所述第一深度，除去至少所述第二部分的第三厚度；

除去所述多个光致抗蚀剂层；以及

除去所述第一聚合物层和第二聚合物层。

2.权利要求1的方法，其中所述第一干法蚀刻包括高速聚合物沉积。

3.权利要求1的方法，其中所述第一聚合物层包括含C-H聚合物。

4.权利要求1的方法，其中所述第一干法蚀刻包括各向异性蚀刻。

5.权利要求1的方法，其中所述第二厚度小于所述第一厚度的五分之一。

6.权利要求1的方法，其中除去所述第一聚合物层和第二聚合物层包括灰化工艺。

7.权利要求1的方法，其中所述第一厚度在1000埃和6000埃之间。

8.权利要求1的方法，其中除去所述多个光致抗蚀剂层包括湿法剥离工艺。

9.权利要求1的方法，其中所述第一结构是栅结构。

10.权利要求1的方法，其中所述第一结构包括多晶硅材料。

11.权利要求1的方法，其中所述第一结构包括氧化物-氮化物-氧化物(ONO)结构。

12.权利要求1的方法，其中所述可蚀刻氧化物材料层包括浅沟槽隔离(STI)氧化物。

13.权利要求1的方法，其中所述方法用来制造至少闪存器件中的栅。

14.权利要求1的方法，其中所述方法用来制造至少闪存器件的一部分。

15.权利要求1的方法，其中所述方法用来制造至少随机存取存储器的一部分。

16.一种用于执行自对准源蚀刻工艺的方法，包括：

提供基片材料；

形成覆盖至少部分所述基片材料的可蚀刻氧化物材料层，所述可蚀刻氧化物材料层的特征在于第一厚度，所述可蚀刻氧化物材料层包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第二部分位于所述第一部分和所述第三部分之间；

形成覆盖所述可蚀刻氧化物材料层的多个栅结构，所述多个栅结构包括第一栅结构和第二栅结构，所述第一栅结构包括第一侧壁，且位于所述第一部分上面，所述第二栅结构包括第二侧壁，且位于所述第三部分上面，所述第一侧壁面对所述第二侧壁；

形成覆盖所述多个栅结构的多个光致抗蚀剂层，所述多个光致抗蚀剂层包括覆盖所述第一栅结构的第一光致抗蚀剂层和覆盖所述第二栅结构的第二光致抗蚀剂层；

使至少所述多个栅结构经受高速聚合物沉积，形成覆盖所述第一侧壁的第一聚合物层和覆盖所述第二侧壁的第二聚合物层；

以第一深度执行干法蚀刻工艺，除去至少所述第二部分的第二厚度；

除去所述多个光致抗蚀剂层；以及

除去所述第一聚合物层和第二聚合物层。

17.权利要求16的方法，其中所述沉积聚合物材料包括高速聚合物沉积工艺。

18.权利要求16的方法，其中所述第一栅结构包括堆叠栅结构，所述堆叠栅结构包括浮动多晶硅栅、内多晶硅电介质层以及控制多晶硅栅。

19.权利要求18的方法，其中所述内多晶硅电介质层包括氧化铝。