[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610119057.9 | 申请日： | 2006-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101197323A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 宁先捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L27/092;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
在半导体衬底上形成具有侧壁隔离物的栅极，所述侧壁隔离物包括氧化硅层和氮化硅层；
在所述半导体衬底中形成源区和漏区，并在所述栅极、源区和漏区表面形成金属硅化物；
移除所述侧壁隔离物中的氮化硅层；
在包括所述栅极、源区和漏区的衬底表面形成刻蚀停止层；
在所述刻蚀停止层表面淀积介质层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：采用湿法腐蚀移除所述侧壁隔离物的氮化硅层。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述湿法腐蚀的腐蚀液为磷酸，腐蚀时间为20秒～600秒，所述腐蚀液的温度为120℃～200℃。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述刻蚀停止层的材料为氮化硅、氮氧化硅或含碳的氮化硅。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述刻蚀停止层的厚度为。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述刻蚀停止层的淀积工艺为等离子增强化学气相淀积。
7.一种半导体器件，包括：
在半导体衬底上形成的栅极，所述栅极侧壁具有氧化硅层；
在所述半导体衬底中形成的源区和漏区，所述栅极、源区和漏区的表面具有金属硅化物；以及
在所述栅极、源区和漏区表面形成的刻蚀停止层；
在所述刻蚀停止层表面形成的介质层。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：所述刻蚀停止层的材料为氮化硅、氮氧化硅或含碳的氮化硅。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于：所述刻蚀停止层的厚度为。
10.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：所述金属硅化物为镍或钴的硅化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
