[发明专利]通孔刻蚀方法有效
| 申请号： | 200610119159.0 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101197274A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 元琳;高颖;刘玉丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
1.一种通孔刻蚀方法，包括：
在半导体衬底上形成通孔刻蚀基底；
在所述通孔刻蚀基底上沉积牺牲层；
刻蚀所述牺牲层；
沉积填充层，所述填充层覆盖牺牲层及所述通孔刻蚀基底；
执行一热氧化或氮氧化制程；
在热氧化或氮氧化后的所述填充层上沉积介质层；
去除覆盖牺牲层上表面的所述介质层和热氧化或氮氧化后的所述填充层；
刻蚀牺牲层，形成通孔。
2.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述牺牲层材料包含多晶硅及/或非晶硅。
3.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述填充层材料包含多晶硅及/或非晶硅。
4.根据权利要求1或2或3所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述填充层材料与所述牺牲层材料相同。
5.一种通孔刻蚀方法，包括：
在半导体衬底上形成通孔刻蚀基底；
在所述通孔刻蚀基底上沉积牺牲层；
刻蚀所述牺牲层；
沉积填充层，所述填充层覆盖牺牲层及所述通孔刻蚀基底；
执行一热氧化或氮氧化制程；
在热氧化或氮氧化后的所述填充层上沉积阻挡层；
在所述阻挡层上沉积介质层；
去除覆盖牺牲层上表面的所述介质层、阻挡层和热氧化或氮氧化后的所述填充层；
刻蚀牺牲层，形成通孔。
6.根据权利要求5所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述牺牲层材料包含多晶硅及/或非晶硅。
7.根据权利要求5所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述填充层材料包含多晶硅及/或非晶硅。
8.根据权利要求5或6或7所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述填充层材料与所述牺牲层材料相同。
9.根据权利要求5所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述阻挡层材料为氮化硅。
10.一种通孔刻蚀方法，包括：
在半导体衬底上形成通孔刻蚀基底；
在所述通孔刻蚀基底上沉积牺牲层；
刻蚀所述牺牲层；
沉积填充层，所述填充层覆盖牺牲层及所述通孔刻蚀基底；
执行一热氧化制程；
在热氧化后的所述填充层上沉积粘接层；
在所述粘接层上沉积阻挡层；
在所述阻挡层上沉积介质层；
去除覆盖牺牲层上表面的所述介质层、阻挡层、粘接层和热氧化后的所述填充层；
刻蚀牺牲层，形成通孔。
11.根据权利要求10所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述牺牲层材料包含多晶硅及/或非晶硅。
12.根据权利要求10所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述填充层材料包含多晶硅及/或非晶硅。
13.根据权利要求10或11或12所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述填充层材料与所述牺牲层材料相同。
14.根据权利要求10所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述阻挡层材料为氮化硅。
15.根据权利要求10所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述粘接层材料为氮氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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