[发明专利]用于DRAM单元和外围晶体管的方法及所产生的结构

权利要求书

1.一种用于制造动态随机存取存储器DRAM单元的方法，该方法包括：

提供半导体衬底；

形成多个NMOS晶体管栅结构，所述NMOS栅结构中的每个包括NMOS源区和NMOS漏区，形成多个PMOS栅结构，所述PMOS栅结构中的每个包括PMOS源区和PMOS漏区，所述NMOS栅结构形成在P型阱区上，而所述PMOS栅结构形成在N型阱区上；

在所述NMOS栅结构中的每个上面、在所述PMOS栅结构中的每个上面、在每个所述PMOS栅结构的PMOS源区和PMOS漏区上面、以及在每个所述NMOS栅结构的NMOS源区和NMOS漏区上面形成毯式氮化物层，所述氮化物层在所述NMOS栅结构中的每个上以及所述PMOS栅结构中的每个上形成侧壁间隔物；

在所述氮化物层上面形成毯式氧化物层，所述毯式氧化物层覆盖整个所述氮化物层；

去除每个所述PMOS栅结构的PMOS源区和PMOS栅区上的所述氮化物层上面的、以及每个所述NMOS栅结构的NMOS源区和NMOS栅区上的所述氮化物层上面的所述氧化物层的部分，以在所述NMOS栅结构和PMOS栅结构中的每个上形成氧化物间隔物。

使用第一掩模结构在所述P型阱区上面的所述NMOS栅结构上面形成第一保护层；

使用至少所述NMOS栅结构和所述PMOS栅结构中的每个上的所述氧化物间隔物作为阻挡结构，将P型杂质注入与所述PMOS栅结构中的每个相关联的所述PMOS源区和所述PMOS漏区中；

去除所述NMOS栅结构上面的所述第一保护层；

使用第二掩模结构在所述PMOS栅结构上面形成第二保护层，所述PMOS栅结构在所述N型阱区上；

将N型杂质注入至每个所述NMOS晶体管中的所述NMOS源区和所述NMOS漏区中；

选择性地去除所述氧化物间隔物，同时暴露所述氮化物层，以将所述NMOS栅结构中的两个或更多个之间的间隔增大至预定宽度；

形成间层电介质层，所述间层电介质层在所述栅结构中的每个上面，同时填充所述NMOS栅结构中的两个或更多个之间的间隙；并且

对所述间层电介质层执行蒸汽退火，以完成所述间层电介质层，使其中没有任何间隙。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定宽度不大于0.13微米。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述NMOS栅结构中的每个具有0.14微米和更小的宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述的增大的宽度提供所述间层电介质层中的间隙填充质量。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述间层电介质材料包括BPSG。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述蒸汽退火包括大于约800摄氏度的温度的含H₂O物质。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述蒸汽退火包括大于约800摄氏度并且小于约900摄氏度的温度的含H₂O物质。

8.根据权利要求1所述的方法，其中与所述NMOS栅结构中的每个相关联的所述NMOS源区和所述NMOS漏区上的所述毯式氮化物层防止对与所述NMOS栅结构中的每个相关联的所述NMOS源区和所述NMOS漏区的损坏。

9.根据权利要求1所述的方法，其中对至少所述间层电介质层的所述蒸汽退火使所述间层电介质层回流，以从所述间层电介质层中除去气体。

10.根据权利要求1的所述方法，其中所述毯式氮化物层的厚度范围为约100至200埃。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述毯式氮化物层是使用LPCVD来提供的。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述的注入N型杂质使用约30KeV的能量的含砷物质。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述的注入P型杂质使用约25KeV的能量的含硼物质(BF₂)。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述NMOS栅结构包括单元阵列区中的一个或多个NMOS栅结构和外围区中的一个或多个NMOS栅结构。