[发明专利]调节圣约翰草生长的方法无效
| 申请号： | 200610121518.6 | 申请日： | 2006-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101124875A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 邓资新;张家纶;陈联泰 | 申请（专利权）人： | 邓资新 |
| 主分类号： | A01G1/00 | 分类号： | A01G1/00;A01G7/00;A01G31/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 徐迅 |
| 地址： | 台湾省台中市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调节 圣约翰 生长 方法 | ||
1.一种调节圣约翰草生长的方法，该方法至少包含：
提供一培养介质；
加入远红外线陶瓷纳米粉体在该培养介质中，并混合均匀以形成一含远红外线陶瓷纳米粉体的培养介质；以及
种植一圣约翰草在该含远红外线陶瓷纳米粉体的培养介质中，用以调节该圣约翰草的生长。
2.如权利要求1所述的调节圣约翰草生长的方法，其特征在于，该培养介质至少包含培养土、珍珠石、蛭石或上述的任意组合。
3.如权利要求2所述的调节圣约翰草生长的方法，其特征在于，该培养介质中包含5％～20％的远红外线陶瓷纳米粉体。
4.如权利要求1所述的调节圣约翰草生长的方法，其特征在于，该圣约翰草的种植温度为15-25℃之间。
5.如权利要求1所述的调节圣约翰草生长的方法，其特征在于，该圣约翰草种植的光周期设定在D/L＝6h/18h。
6.一种调节圣约翰草生长的方法，其特征在于，所述的方法至少包含：
提供一培养介质在一容器中，该培养介质与该容器之间具有一空间；
添加一远红外线陶瓷纳米粉体在该培养介质与该容器间的空间；以及
种植一圣约翰草在该培养介质中，用以调节该圣约翰草的生长。
7.如权利要求6所述的调节圣约翰草生长的方法，其特征在于，该培养介质至少包含培养土、珍珠石、蛭石或上述的任意组合。
8.如权利要求6所述的调节圣约翰草生长的方法，其特征在于，该远红外线陶瓷纳米粉体的粒径为纳米级。
9.如权利要求7所述的调节圣约翰草生长的方法，其特征在于，该培养介质中包含5％～20％的远红外线陶瓷纳米粉体。
10.如权利要求6所述的调节圣约翰草生长的方法，其特征在于，该圣约翰草的种植温度为15-25℃之间。
11.如权利要求6所述的调节圣约翰草生长的方法，其特征在于，该圣约翰草种植的光周期设定在D/L＝6h/18h。
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