[发明专利]调节圣约翰草生长的方法

说明书

(1)技术领域

本发明是有关于一种调节圣约翰草生长的方法，且特别是有关于一种应用远红外线陶瓷纳米粉体调节圣约翰草生长的方法。

(2)背景技术

太阳光线中约有80％的红外线，其波长介于0.76～1000微米之间，称为红外光。其中4～400微米波长的范围称为远红外光。远红外光中，有90％的波长是介于8～14微米之间，其每一秒钟能震动1012次方的频率，是地球上一切生物赖以生长发育的光线。目前，远红外光的效用也得到证实，近年来关于远红外线的许多研究中，已广泛地应用在医学、工业、生物、军事等相关领域上。

远红外线对于生物体的影响目前已有一些研究，包括其振动效应、热效应、磁场能量等，也已被广泛的报导。研究显示，许多自然界物质运动现象所释放或吸收的辐射能量恰巧落在红外线能量区域，且远红外线具有较强的辐射穿透力，可以深入人体皮下，对人体有益。

然而，目前远红外线对植物可能产生效应的相关研究仍十分缺乏。由于远红外线是一种波长较长的电磁波，因此具有光的传播特性。植物对光的生理反应十分复杂，一般来说，光对植物最直接的影响是光可作为能量的来源，植物经由光合作用将光转换成化学能，供给自然界的能量输入。此外，光可调节植物在生长发育过程中的许多步骤，例如：光型态发生(photomorphogenesis)、向光性(phototropism)和光周期性(photoperiodism)。因此，可将光应用于调节植物生长的研究领域。

(3)发明内容

因此本发明的目的就是在提供一种应用远红外线陶瓷纳米粉体调节圣约翰草生长的方法，藉由添加远红外线陶瓷纳米粉体的方式，可影响圣约翰草的生长并调节其发育速度。

根据本发明的上述目的，提出一种直接添加远红外线陶瓷纳米粉体以调节圣约翰草生长的方法。依照本发明的实施例，在一培养介质中加入适当浓度的远红外线陶瓷纳米粉体，并混合均匀以形成一含远红外线陶瓷纳米粉体的培养介质，再将圣约翰草种植于此含远红外线陶瓷纳米粉体的培养介质中，圣约翰草的根部可与部分混合在培养介质中的远红外线陶瓷纳米粉体接触，产生生长调节的作用。

根据本发明的目的，提出一种间接添加远红外线陶瓷纳米粉体以调节圣约翰草生长的方法。依照本发明的实施例，将培养介质放置在一容器中，培养介质与容器之间可具有一空间，用以容纳远红外线陶瓷纳米粉体。因此，远红外线陶瓷纳米粉体可添加在培养介质与该容器之间，使远红外线陶瓷纳米粉体不直接与植物接触，而达到调节圣约翰草的生长目的。

根据上述可知，本发明的应用远红外线陶瓷纳米粉体调节圣约翰草生长的方法是利用远红外线对生物体具有产生能量的作用，及远红外线对植物产生的光效应来调节圣约翰草生长，并依需要搭配直接添加及间接添加的方式来达到所需的生长增进或抑制功能，调节圣约翰草的生长发育情形。

为了使本发明的构成特征、操作方法、目的及优点更加容易了解，所以在下文中配合图示及文字叙述，说明本发明的实施例。

(4)附图说明

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图示的详细说明如下：

图1为不同远红外线陶瓷纳米粉体对圣约翰草生长的影响效应。

图2为远红外线陶瓷纳米粉体间接添加(A)及直接添加(B)对圣约翰草开花时间影响的效果。

(5)具体实施方式

圣约翰草(Hypericum perforatum，St.John’s wort)为金丝桃属的多年生草本植物，是舒缓轻到中度忧郁症的重要天然药草。本发明以圣约翰草为例，观察远红外线陶瓷纳米粉体对植物生长的影响。

所有试验材料都于20℃左右(15-25℃)的环境、光周期设定在D/L＝6h/18h的温室中生长，实验进行约八个月，记录调查各处理组与对照组的圣约翰草生长特性、开花时间等性状差异。

依照本发明的实施例，在圣约翰草种植时分别在培养介质中添加三种不同的远红外线陶瓷纳米粉体FIR Y、FIR J或FIR P，并各以5％、10％、20％的浓度和对照组(无添加任何远红外线陶瓷纳米粉体)处理，每一种处理方式都进行3次重复试验。其中，远红外线陶瓷纳米粉体的粒径为纳米级。