[发明专利]形成金属凸块的方法有效
申请号: | 200610126237.X | 申请日: | 2006-08-22 |
公开(公告)号: | CN101131949A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
发明(设计)人: | 王圣民;张硕训;张国华;黄吉志;陈志澄 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人: | 翟羽;刘志华 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 金属 方法 | ||
1.一种形成金属凸块的方法,包括:
提供一基板,其上设有数个导电焊垫;
在该基板上形成第一光阻层,该第一光阻层覆盖在该等导电焊垫上;
进行平坦化,以移除部分该第一光阻层至暴露出该等导电焊垫;
在该第一光阻层以及该等导电焊垫上形成一导电层;
在该导电层上电镀一金属层;
在该金属层上形成一图案化的第二光阻层;
以该图案化的第二光阻层为屏蔽(Mask)移除未被该图案化之第二光阻层所覆盖的金属层与导电层;
移除该图案化的第二光阻层;以及
在该基板上形成一防焊层,其中该防焊层具有数个开口以露出位于该等导电焊垫上的该金属层。
2.如权利要求1所述的形成金属凸块的方法,其特征在于:进一步包括在该露出之该金属层上形成一保护层。
3.如权利要求2所述的形成金属凸块的方法,其特征在于:该保护层的材质可以是金、镍、铜、银、锡、铅、铋、钯、铝、铁、镉、锌及其组合物中的一种。
4.如权利要求1或2所述的形成金属凸块的方法,其特征在于:形成该第一光阻层与形成该第二光阻层的方法可以采用刮刀涂布、滚轮涂布、喷洒涂布、帘幕式涂布、旋转涂布、热压膜法以及真空压膜法的一种。
5.如权利要求1或2所述的形成金属凸块的方法,其特征在于:形成该第一光阻层的方法还包括一硬化处理,硬化该第一光阻层。
6.如权利要求1或2所述的形成金属凸块的方法,其特征在于:进行平坦化时可以使用砂带研磨机以及刷轮研磨机中的一种。
7.如权利要求1或2所述的形成金属凸块的方法,其特征在于:形成该导电层的方法可采用真空溅镀、电镀、化学沉积以及无电解电镀中的一种。
8.如权利要求1或2所述的形成金属凸块的方法,其特征在于:该导电层的材质可以是金、镍、铜、银、锡、铅、铋、钯、铝、铁、镉、锌及其组合物中的一种。
9.如权利要求1或2所述的形成金属凸块的方法,其特征在于:电镀该金属层的方法可采用垂直电镀或水平电镀中的一种。
10.如权利要求1或2所述的形成金属凸块的方法,其特征在于:该金属层的材质可以是铜、银、锡、铅、铋及其组合物中的一种。
11.如权利要求1或2所述的形成金属凸块的方法,其特征在于:移除第二光阻层可使用一无机溶液或一有机溶液;该无机溶液至少包含氢氧化钠或氢氧化钾,该有机溶液可以是丙酮、甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、氨基乙氧基乙醇、二甲基胺、二甲基甲醯胺或者四氢呋喃。
12.如权利要求1或2所述的形成金属凸块的方法,其特征在于:形成该防焊层的方法可以采用印刷、滚轮涂布、喷洒涂布、帘幕式涂布、旋转涂布、热压膜法或真空压膜法中的一种。
13.如权利要求1或2所述的形成金属凸块的方法,其特征在于:该防焊层至少包含液态之有机膜或无机膜、固态之有机膜或无机膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造